صنعت کی خبریں

اس مضمون میں بنیادی طور پر متعلقہ عمل کے فوائد اور مالیکیولر بیم ایپیٹیکسی عمل اور دھاتی نامیاتی کیمیائی بخارات جمع کرنے والی ٹیکنالوجیز کے اختلافات پر تبادلہ خیال کیا گیا ہے۔

VeTek Semiconductor's Porous Tantalum Carbide، SiC کرسٹل گروتھ میٹریل کی ایک نئی نسل کے طور پر، بہت سی بہترین مصنوعات کی خصوصیات کا حامل ہے اور مختلف سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ ٹیکنالوجیز میں کلیدی کردار ادا کرتا ہے۔

ایپیٹیکسیل فرنس کا کام کرنے والا اصول سیمیکمڈکٹر مواد کو اعلی درجہ حرارت اور اعلی دباؤ کے تحت سبسٹریٹ پر جمع کرنا ہے۔ سلیکن ایپیٹیکسیئل نمو ایک خاص کرسٹل واقفیت کے ساتھ سلیکن سنگل کرسٹل سبسٹریٹ پر سبسٹریٹ اور مختلف موٹائی کے ساتھ کرسٹل کی ایک پرت کو بڑھانا ہے۔ اس مضمون میں بنیادی طور پر سلیکن ایپیٹیکسیئل نمو کے طریقوں کو متعارف کرایا گیا ہے: بخارات کے مرحلے کی ایپیٹیکسی اور مائع مرحلے کی ایپیٹیکسی۔