مصنوعات

سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی


اعلی معیار کے سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی کی تیاری کا انحصار جدید ٹیکنالوجی اور سازوسامان اور سامان کے لوازمات پر ہے۔ فی الحال ، سب سے زیادہ استعمال شدہ سلکان کاربائڈ ایپیٹیکسی نمو کا طریقہ کیمیائی بخارات جمع (سی وی ڈی) ہے۔ اس میں ایپیٹیکسیل فلم کی موٹائی اور ڈوپنگ حراستی ، کم نقائص ، اعتدال پسند نمو کی شرح ، خودکار عمل پر قابو پانے ، وغیرہ کے عین مطابق کنٹرول کے فوائد ہیں ، اور یہ ایک قابل اعتماد ٹکنالوجی ہے جو تجارتی طور پر کامیابی کے ساتھ استعمال کی گئی ہے۔


سلیکن کاربائڈ سی وی ڈی ایپیٹیکسی عام طور پر گرم دیوار یا گرم دیوار سی وی ڈی آلات کو اپناتا ہے ، جو اعلی نمو کے درجہ حرارت کے حالات (1500 ~ 1700 ℃) کے تحت ایپیٹیکسی پرت 4 ایچ کرسٹل لائن ایس آئی سی کے تسلسل کو یقینی بناتا ہے ، گرم دیوار یا گرم دیوار سی وی ڈی کو ترقی کے سالوں کے بعد ، انلیٹ ہوا کے بہاؤ کی سمت اور سبسٹریٹ سطح کے مابین تعلقات کے مطابق ، رد عمل ، رد عمل چیمبر کو تقسیم کیا جاسکتا ہے۔


ایس آئی سی ایپیٹاکسیل فرنس کے معیار کے لئے تین اہم اشارے ہیں ، سب سے پہلے ایپیٹیکسیئل نمو کی کارکردگی ہے ، جس میں موٹائی یکسانیت ، ڈوپنگ یکسانیت ، عیب کی شرح اور شرح نمو شامل ہیں۔ دوسرا سامان خود کی درجہ حرارت کی کارکردگی ہے ، جس میں حرارتی/ٹھنڈک کی شرح ، زیادہ سے زیادہ درجہ حرارت ، درجہ حرارت کی یکسانیت شامل ہے۔ آخر میں ، ایک ہی یونٹ کی قیمت اور صلاحیت سمیت خود سامان کی لاگت کی کارکردگی۔



تین طرح کے سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسیئل گروتھ فرنس اور بنیادی لوازمات کے اختلافات


ہاٹ وال افقی سی وی ڈی (ایل پی ای کمپنی کا عام ماڈل PE1O6) ، گرم وال سیارے کی سی وی ڈی (عام ماڈل آئکسٹرون جی 5 ڈبلیو ڈبلیو سی/جی 10) اور کوسی گرم دیوار سی وی ڈی (نیفلر کمپنی کے ایپیرووس 6 کی نمائندگی کرتے ہیں) مرکزی دھارے میں شامل ہونے والے ایپیٹیکسل آلات تکنیکی حل ہیں جو اس مرحلے میں سمجھتے ہیں۔ تینوں تکنیکی آلات کی بھی اپنی اپنی خصوصیات ہیں اور انہیں مطالبہ کے مطابق منتخب کیا جاسکتا ہے۔ ان کی ساخت کو مندرجہ ذیل دکھایا گیا ہے:


متعلقہ بنیادی اجزاء مندرجہ ذیل ہیں:


(a) گرم دیوار افقی قسم کور پارٹ- آدھے مون کے حصے پر مشتمل ہے

بہاو ​​موصلیت

اہم موصلیت اوپری

اوپری نصف مون

upstream موصلیت

منتقلی کا ٹکڑا 2

منتقلی کا ٹکڑا 1

بیرونی ہوا نوزل

ٹاپراد سنورکل

بیرونی ارگون گیس نوزل

ارگون گیس نوزل

وفر سپورٹ پلیٹ

سینٹرنگ پن

سنٹرل گارڈ

بہاو ​​بائیں بازو کے تحفظ کا احاطہ

بہاو ​​دائیں تحفظ کا احاطہ

اوپر کی طرف بائیں بازو کے تحفظ کا احاطہ

اوپر کے دائیں تحفظ کا احاطہ

سائیڈ وال

گریفائٹ رنگ

حفاظتی محسوس ہوا

معاونت محسوس کرنا

بلاک سے رابطہ کریں

گیس آؤٹ لیٹ سلنڈر



(b) گرم دیوار سیاروں کی قسم

sic کوٹنگ سیاروں کی ڈسک اور ٹیک کوٹڈ سیارے کی ڈسک


(c) ارد تھرمل دیوار کھڑی قسم


نیفلیئر (جاپان): یہ کمپنی دوہری چیمبر عمودی بھٹیوں کی پیش کش کرتی ہے جو پیداوار میں اضافے میں معاون ہے۔ اس سامان میں فی منٹ میں 1000 انقلابات کی تیز رفتار گردش کی خصوصیات ہے ، جو ایپیٹاکسیل یکسانیت کے لئے انتہائی فائدہ مند ہے۔ مزید برآں ، اس کا ہوا کا بہاؤ کی سمت دوسرے سامان سے مختلف ہوتی ہے ، عمودی طور پر نیچے کی طرف ہوتی ہے ، اس طرح ذرات کی نسل کو کم سے کم کرتا ہے اور ویفروں پر گرنے والے ذرہ بوندوں کے امکان کو کم کرتا ہے۔ ہم اس سامان کے لئے بنیادی sic لیپت گریفائٹ اجزاء فراہم کرتے ہیں۔


ایس آئی سی ایپیٹیکسیل آلات کے اجزاء کے سپلائر کے طور پر ، ویٹیک سیمیکمڈکٹر ایس آئی سی ایپیٹیکسی کے کامیاب نفاذ کی حمایت کے لئے اعلی معیار کے کوٹنگ اجزاء فراہم کرنے کے لئے پرعزم ہے۔



View as  
 
سلیکن کاربائڈ کوٹنگ ویفر ہولڈر

سلیکن کاربائڈ کوٹنگ ویفر ہولڈر

ویٹیکسیمن کے ذریعہ سلیکن کاربائڈ کوٹنگ ویفر ہولڈر ایم او سی وی ڈی ، ایل پی سی وی ڈی ، اور اعلی درجہ حرارت اینیلنگ جیسے جدید سیمیکمڈکٹر عمل میں صحت سے متعلق اور کارکردگی کے لئے انجنیئر ہے۔ یکساں سی وی ڈی ایس آئی سی کوٹنگ کے ساتھ ، یہ ویفر ہولڈر غیر معمولی تھرمل چالکتا ، کیمیائی جڑواں ، اور مکینیکل طاقت کو یقینی بناتا ہے-آلودگی سے پاک ، اعلی صحت مند ویفر پروسیسنگ کے لئے ضروری ہے۔
سی وی ڈی ایس آئی سی لیپت ویفر حساسپٹر

سی وی ڈی ایس آئی سی لیپت ویفر حساسپٹر

ویٹیکسیمن کا سی وی ڈی ایس آئی سی لیپت ویفر حساسپٹر سیمیکمڈکٹر ایپیٹیکسیل عملوں کے لئے ایک جدید ترین حل ہے ، جس میں الٹرا ہائی پیورٹی (≤100 پی پی بی ، آئی سی پی-ای 10 مصدقہ) اور گان ، ایس آئی سی ، اور سلیکن بیدے ہوئے ایپی لیروں کی آلودگی سے متعلقہ نمو کے لئے غیر معمولی تھرمل/کیمیائی استحکام کی پیش کش کی جاتی ہے۔ صحت سے متعلق سی وی ڈی ٹکنالوجی کے ساتھ انجنیئر ، یہ 6 "/8"/12 "ویفرز کی حمایت کرتا ہے ، کم سے کم تھرمل تناؤ کو یقینی بناتا ہے ، اور 1600 ° C تک انتہائی درجہ حرارت کا مقابلہ کرتا ہے۔
Epitaxy کے لئے sic لیپت سگ ماہی کی انگوٹھی

Epitaxy کے لئے sic لیپت سگ ماہی کی انگوٹھی

ایپیٹیکسی کے لئے ہماری ایس آئی سی لیپت سگ ماہی کی انگوٹھی ایک اعلی کارکردگی کا مظاہرہ کرنے والا اجزاء ہے جو گریفائٹ یا کاربن کاربن کمپوزٹ پر مبنی ہے جو کیمیائی بخارات جمع کرنے (سی وی ڈی) کے ذریعہ اعلی طہارت سلیکن کاربائڈ (ایس آئی سی) کے ساتھ لیپت ہے ، جو ایس آئی سی کی انتہائی ماحولیاتی مزاحمت کے ساتھ گریفائٹ کے تھرمل استحکام کو جوڑتا ہے۔
سنگل وافر ایپی گریفائٹ انڈرٹیکر

سنگل وافر ایپی گریفائٹ انڈرٹیکر

ویٹیکسیمن سنگل ویفر ایپی گریفائٹ سوسسیپٹر کو اعلی کارکردگی والے سلیکن کاربائڈ (ایس آئی سی) ، گیلیم نائٹریڈ (جی اے این) اور دیگر تیسری نسل کے سیمیکمڈکٹر ایپیٹیکسیل عمل کے لئے ڈیزائن کیا گیا ہے ، اور یہ بڑے پیمانے پر پروڈکشن میں اعلی صحت سے متعلق ایپیٹیکیل شیٹ کا بنیادی اثر جزو ہے۔
سی وی ڈی ایس آئی سی فوکس رنگ

سی وی ڈی ایس آئی سی فوکس رنگ

ویٹیک سیمیکمڈکٹر ایک معروف گھریلو صنعت کار اور سی وی ڈی ایس آئی سی فوکس کی انگوٹھیوں کا سپلائر ہے ، جو سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کے لئے اعلی کارکردگی ، اعلی اعتماد کی مصنوعات کے حل فراہم کرنے کے لئے وقف ہے۔ ویٹیک سیمیکمڈکٹر کی سی وی ڈی ایس آئی سی فوکس کی انگوٹھی ایڈوانسڈ کیمیکل وانپ ڈپوزیشن (سی وی ڈی) ٹکنالوجی کا استعمال کرتی ہے ، اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت ، سنکنرن مزاحمت اور تھرمل چالکتا ہے ، اور سیمیکمڈکٹر لتھوگرافی کے عمل میں وسیع پیمانے پر استعمال ہوتا ہے۔ آپ کی پوچھ گچھ کا ہمیشہ خیرمقدم کیا جاتا ہے۔
Aixtron G5+ چھت کا جزو

Aixtron G5+ چھت کا جزو

ویٹیک سیمیکمڈکٹر اس کی اعلی پروسیسنگ کی صلاحیتوں کے ساتھ بہت سے MOCVD آلات کے لئے استعمال کی جگہوں کا فراہم کنندہ بن گیا ہے۔ آئکسٹرون جی 5+ چھت کا جزو ہماری تازہ ترین مصنوعات میں سے ایک ہے ، جو اصل آئکسٹرون جزو کی طرح ہے اور اسے صارفین کی طرف سے اچھی رائے ملی ہے۔ اگر آپ کو ایسی مصنوعات کی ضرورت ہو تو ، براہ کرم وٹیک سیمیکمڈکٹر سے رابطہ کریں!

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.


Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.


Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs,  IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.


Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.


To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.


چین میں ایک پیشہ ور سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی صنعت کار اور سپلائر کی حیثیت سے ، ہمارے پاس اپنی فیکٹری ہے۔ چاہے آپ کو اپنے خطے کی مخصوص ضروریات کو پورا کرنے کے لئے اپنی مرضی کے مطابق خدمات کی ضرورت ہو یا چین میں بنایا ہوا جدید اور پائیدار {77 خریدنا چاہتے ہو ، آپ ہمیں ایک پیغام چھوڑ سکتے ہیں۔
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept