VeTek سیمی کنڈکٹر سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کے لیے ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ میٹریل کا ایک سرکردہ صنعت کار ہے۔ ہماری اہم مصنوعات کی پیشکشوں میں سی وی ڈی ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ پارٹس، ایس آئی سی کرسٹل گروتھ یا سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسی پروسیس کے لیے سنٹرڈ TaC کوٹنگ پارٹس شامل ہیں۔ ISO9001 پاس کیا، VeTek سیمی کنڈکٹر کوالٹی پر اچھا کنٹرول ہے۔ VeTek Semiconductor مسلسل تحقیق اور تکراری ٹیکنالوجیز کی ترقی کے ذریعے ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ انڈسٹری میں اختراعی بننے کے لیے وقف ہے۔
اہم مصنوعات ہیں TaC Coated Guide Ring، CVD TaC کوٹیڈ تھری پنکھڑی والی گائیڈ رنگ، Tantalum Carbide TaC Coated Halfmoon، CVD TaC کوٹنگ پلینٹری SiC epitaxial susceptor، Tantalum Carbide Coating Ring، Tantalum Carbide Coated Porous Graphite، TaC Coating Coating Ring، TaC Coating Rot روٹیشن پلیٹ، ٹی اے سی کوٹیڈ ویفر سسپٹر، ٹی اے سی کوٹڈ ڈیفلیکٹر رنگ، سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ کور، ٹی اے سی کوٹیڈ چک وغیرہ، طہارت 5ppm سے کم ہے، کسٹمر کی ضروریات کو پورا کر سکتی ہے۔
ٹی اے سی کوٹنگ گریفائٹ ایک ملکیتی کیمیائی بخارات جمع کرنے (سی وی ڈی) کے عمل کے ذریعے ٹینٹلم کاربائیڈ کی باریک تہہ کے ساتھ اعلیٰ پاکیزگی والے گریفائٹ سبسٹریٹ کی سطح کو کوٹنگ کر کے بنایا گیا ہے۔ فائدہ ذیل کی تصویر میں دکھایا گیا ہے:
ٹینٹلم کاربائیڈ (TaC) کوٹنگ نے 3880°C تک اپنے اعلی پگھلنے کے نقطہ، بہترین مکینیکل طاقت، سختی، اور تھرمل جھٹکوں کے خلاف مزاحمت کی وجہ سے توجہ حاصل کی ہے، جس سے یہ زیادہ درجہ حرارت کی ضروریات کے ساتھ کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسی پروسیسز کا ایک پرکشش متبادل ہے، جیسے کہ Aixtron MOCVD میں وسیع پیمانے پر LOCVD سسٹم اور ایل سی پی سی کا اطلاق ہوتا ہے۔ PVT طریقہ SiC کرسٹل ترقی کے عمل.
کلیدی خصوصیات
● تھرمل جھٹکے کے خلاف بہترین مزاحمت کے ساتھ 2500°C تک درجہ حرارت کا استحکام۔
● انتہائی اعلیٰ طہارت (<5ppm) اور کم سے کم ذرہ پیدا کرنے کے لیے گریفائٹ سے مضبوط چپکنے والا۔
● سخت عمل والے ماحول میں H₂، NH₃، SiH₄ اور Si بخارات کے خلاف اعلیٰ مزاحمت۔
● 750 ملی میٹر قطر تک سائز کی صلاحیت کے ساتھ کنفارمل کوٹنگ کوریج، چین میں منفرد طور پر دستیاب ہے۔
مصنوعات کی تفصیلات
VeTek سیمی کنڈکٹر ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ کا پیرامیٹر:
| ٹی اے سی کوٹنگ کی جسمانی خصوصیات |
| کثافت |
14.3 g/cm³ |
| سختی |
2000 HK |
| تھرمل توسیع |
6.3×10⁻⁶/K |
| مزاحمت |
1×10⁻⁵ Ohm·cm |
| تھرمل استحکام |
<2500°C |
| کوٹنگ کی موٹائی |
≥20μm (عام 35±10μm) |
مائکروسکوپک کراس سیکشن پر کاربائیڈ (TaC) کوٹنگ:
TaC کوٹنگ EDX ڈیٹا:
ٹی اے سی کوٹنگ کرسٹل ڈھانچہ ڈیٹا:
| عنصر |
جوہری فیصد |
|
|
Pt 1 |
Pt 2 |
Pt 3 |
اوسط |
| سی کے |
52.10
|
57.41
|
52.37
|
53.96
|
| ٹی ایم |
47.90
|
42.59
|
47.63
|
46.04
|
درخواستیں
سیمی کنڈکٹر پروسیس کی متنوع ضروریات کو پورا کرنے کے لیے، VeTek ٹارگیٹڈ ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ پروڈکٹس پیش کرتا ہے۔ مندرجہ ذیل جدول ان کی درجہ بندی بڑے ایپلیکیشن ایریاز کے لحاظ سے کرتا ہے، عام اجزاء اور قابل اطلاق عمل کی فہرست دیتا ہے:
| درخواست کا میدان |
عام مصنوعات |
درخواست کی تفصیل |
| ایس آئی سی ایپیٹیکسی |
CVD TaC لیپت سیاروں کا سسپٹر,ٹی اے سی لیپت ویفر سسیپٹر,TaC لیپت گائیڈ کی انگوٹی
|
اعلی درجہ حرارت کے ایس آئی سی ایپیٹیکسیل عمل کے لیے موزوں ہے (مثال کے طور پر، ایل پی ای طریقہ)، اعلی تھرمل استحکام اور فلم کی یکسانیت کو یقینی بنانے کے لیے کم آلودگی والا انٹرفیس فراہم کرتا ہے۔ |
| GaN / LED Epitaxy (MOCVD) |
شاور ہیڈ، سیٹلائٹ ڈسک، ماسکنگ رنگ، ہیٹ شیلڈ، انجکشن نوزل |
Aixtron MOCVD سسٹمز کے لیے موزوں، H₂/NH₃ سنکنرن کے خلاف مزاحم، ذرات کی آلودگی کو کم کرنے اور LED epitaxial پیداوار کو بہتر بنانے کے لیے۔ |
| SiC کرسٹل گروتھ (PVT طریقہ) |
ٹی اے سی لیپت غیر محفوظ گریفائٹ,TaC لیپت نصف چاند,گائیڈ کی انگوٹی,احاطہ,چک
|
PVT SiC انگوٹ کی نشوونما میں استعمال کیا جاتا ہے، 2500 ° C تک برداشت کرتا ہے، گریفائٹ کے رد عمل کو روکتا ہے، اور کرسٹل کی پاکیزگی کو یقینی بناتا ہے۔ |
| اعلی درجہ حرارت حرارتی اور معاون اجزاء |
دلکش حرارتی سسپٹر،مزاحم حرارتی عنصر، ویفر کیریئر
|
انڈکشن یا مزاحمتی حرارتی نظام کے لیے موزوں ہے، جو اعلی سختی اور تھرمل جھٹکا مزاحمت پیش کرتے ہیں، اجزاء کی عمر کو 3-5 گنا بڑھاتے ہیں۔ |
مزید تفصیلی عمل کے ملاپ کے حل کے لیے، براہ کرم ملاحظہ کریں۔سلیکن کاربائیڈ ایپیٹیکسیمتعلقہ درخواست کا صفحہ۔
ہم کسٹمر کی ضروریات پر مبنی اپنی مرضی کے مطابق خدمات کی حمایت کرتے ہیں۔ اچھے معیار کے کنٹرول کے ساتھ ISO9001 پاس کیا۔
مزید مشاورت کے لیے ہم سے رابطہ کرنے میں خوش آمدید یا کوئی پیغام چھوڑیں۔
