خبریں

ہائی پیوریٹی گریفائٹ، CVD SiC/TaC لیپت اجزاء، ٹھوس SiC حصوں، اور حسب ضرورت سیمی کنڈکٹر کے حل کے لیے VeTek سیمی کنڈکٹر کی CNC درستگی کی مشینی صلاحیتوں کو دریافت کریں۔

ویٹیک سیمی کنڈکٹر نے چین کے ووشی میں CSEAC 2026 میں حصہ لیا، جس میں اس کی اعلی درجے کی CVD SiC اور TaC کوٹنگز، گریفائٹ اجزاء، SiC سیرامکس اور دیگر سیمی کنڈکٹر بنیادی مواد کی نمائش کی۔ اس تقریب نے کسٹمر پارٹنرشپ کو مضبوط کرنے، نئی ٹیکنالوجیز پر تبادلہ خیال، تعاون کے منصوبوں کو آگے بڑھانے اور عالمی سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں مستقبل کے مواقع تلاش کرنے کے قابل قدر مواقع فراہم کیے ہیں۔

VETEK سیمی کنڈکٹر چھ بڑے پروڈکٹ کیٹیگریز میں مہارت رکھتا ہے، بشمول CVD SiC کوٹنگز، CVD TaC کوٹنگز، سالڈ SiC، ہائی پیوریٹی گریفائٹ اور کاربن فائبر، کوارٹز اور جدید سیرامکس، اور سیمی کنڈکٹر ویفرز۔ ہماری مصنوعات اہم سیمی کنڈکٹر پروسیس جیسے ایپیٹیکسی، ایچنگ، اور کرسٹل گروتھ کی خدمت کرتی ہیں۔ دوہری R&D پلیٹ فارمز، ایک مکمل مربوط مینوفیکچرنگ سسٹم، اور عالمی سپلائی کی صلاحیتوں کے ساتھ، ہم ایک قومی خصوصی اور جدید ترین "لٹل جائنٹ" انٹرپرائز کے طور پر پہچانے جاتے ہیں۔

VETEK کی نئی سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ سہولت سیمی کنڈکٹر گریڈ کلین روم کی تعمیر کے مرحلے میں داخل ہو گئی ہے۔ نئی سائٹ سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کے لیے CVD SiC لیپت گریفائٹ اجزاء، TaC کوٹنگز، PyC کوٹنگز، سالڈ SiC حصوں، اور اعلی پاکیزگی والے گریفائٹ مواد کی تیاری میں معاونت کرے گی۔

VeTek سیمی کنڈکٹر SNEC 2026 شنگھائی کی اہم بصیرتیں شیئر کرتا ہے، جس میں ہائی پیوریٹی گریفائٹ، CVD SiC کوٹیڈ گریفائٹ اجزاء، کاربن کمپوزائٹس، اور اگلی نسل کے شمسی مینوفیکچرنگ اور فوٹو وولٹک پروڈکشن کو سپورٹ کرنے والے جدید تھرمل فیلڈ میٹریلز کو نمایاں کیا گیا ہے۔

VETEK اپنے نئے سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ بیس کی ٹاپنگ آؤٹ تقریب کا جشن منا رہا ہے، جس میں اعلی درجے کی SiC، TaC اور PyC کوٹنگ ٹیکنالوجیز، ٹھوس SiC اجزاء، ہائی پیوریٹی گریفائٹ پارٹس اور سیمی کنڈکٹر تھرمل فیلڈ میٹریل کی پیداواری صلاحیت کو بڑھانا ہے۔

5 ستمبر کو ، وٹیک سیمیکمڈکٹر کے صارفین نے ایس آئی سی کوٹنگ اور ٹی اے سی کوٹنگ فیکٹریوں کا دورہ کیا اور تازہ ترین ایپیٹیکسیل عمل کے حل پر مزید معاہدوں پر پہنچا۔

5 ستمبر 2025 کو، پولینڈ کے ایک صارف نے کاربن فائبر مصنوعات کی تیاری میں ہماری جدید ٹیکنالوجیز اور اختراعی عمل کے بارے میں جاننے کے لیے VETEK کے تحت ایک فیکٹری کا دورہ کیا۔

SiC-coated graphite wafer carriers GAN اور LED epitaxy کے لیے MOCVD سسٹمز میں اہم تھرمل اور مکینیکل اجزاء ہیں۔ یہ تکنیکی مضمون بتاتا ہے کہ کس طرح کیریئر جیومیٹری، جیب کی گہرائی، چپٹا پن، گریفائٹ کی خصوصیات اور CVD SiC کوٹنگ کی حالت ویفر درجہ حرارت کی تقسیم، ایپیٹیکسیل یکسانیت اور عمل کی تکرار کو متاثر کرتی ہے۔ یہ تھرمل یکسانیت اور ڈیوائس کی پیداوار، عام کوٹنگ انحطاط کے طریقہ کار، سروس لائف کے تحفظات اور اپنی مرضی کے مطابق یا متبادل MOCVD ویفر کیریئر کی وضاحت کرتے وقت درکار انجینئرنگ ڈیٹا کے درمیان تعلق کا بھی جائزہ لیتا ہے۔

SiC لیپت گریفائٹ اعلی پیوریٹی گریفائٹ کی مشینی صلاحیت اور تھرمل رویے کو کیمیائی طور پر مستحکم CVD سلکان کاربائیڈ پروسیس سطح کے ساتھ جوڑتا ہے۔ یہ تکنیکی وائٹ پیپر بتاتا ہے کہ کیوں ننگے گریفائٹ کیمیاوی تعامل کا ذریعہ بن سکتا ہے، نجاست اور epitaxy ری ایکٹرز میں ذرات، کس طرح CVD SiC ایک زیادہ مستحکم عمل کی حد بناتا ہے، اور کیوں کوٹنگ کی سالمیت، سبسٹریٹ مطابقت، جیومیٹری اور تھرمل رویے کو ایک ساتھ انجنیئر کیا جانا چاہیے۔ یہ سلیکون اور SiC ایپیٹیکسی کے مختلف مطالبات کا بھی جائزہ لیتا ہے اور اس بات کا خاکہ پیش کرتا ہے کہ سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کے لیے کس طرح لیپت سسپٹرز کو مخصوص کیا جانا چاہیے۔

ایک SiC لیپت گریفائٹ سسپٹر سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسی میں صرف ویفر ہولڈر کے بجائے ایک اہم تھرمل فیلڈ جزو ہے۔ یہ تکنیکی مضمون وضاحت کرتا ہے کہ کس طرح سسپٹر جیومیٹری، فلیٹنس، جیب ڈیزائن، گریفائٹ کی خصوصیات اور CVD SiC کوٹنگ کا معیار ویفر تھرمل باؤنڈریز، درجہ حرارت کی تقسیم اور اپیٹیکسیل یکسانیت کو متاثر کرنے کے لیے مل کر کام کرتے ہیں۔ یہ عام سسپٹر کی ناکامی کے طریقوں، کوٹنگ کے انحطاط، ذرہ کے خطرات اور کلیدی انجینئرنگ پیرامیٹرز کا بھی جائزہ لیتا ہے جب حسب ضرورت یا متبادل ایپیٹیکسی سسپٹر کی وضاحت کرتے وقت درکار ہوتا ہے۔

CVD سلکان کاربائیڈ کوٹنگ ایک گھنی SiC تہہ کو کنٹرول شدہ گیس فیز اور سطح کے رد عمل کے ذریعے اعلی پاکیزگی والے گریفائٹ پر جمع کرکے تیار کی جاتی ہے۔ یہ مضمون سبسٹریٹ کی تیاری، MTS پر مبنی CVD گروتھ، نیوکلیشن اور بڑے پیمانے پر منتقلی، کوٹنگ کی موٹائی اور یکسانیت، SiC/گریفائٹ انٹرفیس کا تناؤ، عام نقائص اور سیمی کنڈکٹر گریڈ معائنہ کی وضاحت کرتا ہے۔ اس سے یہ بھی پتہ چلتا ہے کہ ایپیٹیکسی اور MOCVD میں استعمال ہونے والے susceptors اور wafer carriers کے لیے عمل کے پیرامیٹرز اور جزو جیومیٹری کو ایک ساتھ کیوں بنایا جانا چاہیے۔

سیلیکون کاربائیڈ کوٹنگ ایک گھنی CVD SiC پرت ہے جو سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ میں استعمال ہونے والے اعلی پیوریٹی گریفائٹ اجزاء پر لاگو ہوتی ہے۔ یہ مضمون بتاتا ہے کہ کیوں گریفائٹ کو SiC کے ساتھ لیپت کیا جاتا ہے، کس طرح CVD SiC بنتا ہے، کون سی کوٹنگ کی خصوصیات اور انٹرفیس کے عوامل کارکردگی کو کنٹرول کرتے ہیں، اور کس طرح SiC-coated گریفائٹ سلکان ایپیٹیکسی، SiC ایپیٹیکسی اور MOCVD کو سپورٹ کرتا ہے۔ یہ کوٹنگ کی موٹائی، سی ٹی ای کی مماثلت، ڈیلامینیشن کے خطرے اور انجینیئرنگ کی معلومات کا بھی جائزہ لیتا ہے جو سسپٹرز، ویفر کیریئرز اور دیگر لیپت اجزاء کی وضاحت کرتے وقت درکار ہے۔

پیرامیٹر ٹیبلز، کوٹنگ کے انتخاب کے فیصلے کے درخت، ناکامی کے طریقہ کار اور RFQ معیار کے ساتھ، سی وی ڈی SiC اور TaC کوٹنگز تھرمل استحکام، آلودگی، ذرات اور سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسی میں ریپیٹ ایبلٹی کو کس طرح متاثر کرتی ہیں اس پر تکنیکی وائٹ پیپر۔

8 انچ کا SiC اب حجم کی پیداوار میں ہے، لیکن ویفر کی پیداوار — صلاحیت نہیں — جیتنے والوں کو الگ کرتی ہے۔ یہ گائیڈ بتاتا ہے کہ گریفائٹ ہاٹ زون کے پرزوں پر ٹی اے سی کوٹنگ کیوں پیداوار کا فیصلہ کرتی ہے، اور کسی سپلائر کو کیسے اہل بنایا جائے۔

جدید چپ مینوفیکچرنگ میں، سبسٹریٹ جسمانی مدد اور حرارت کی کھپت کا راستہ فراہم کرتا ہے، جب کہ ایپیٹیکسیل پرت ڈیوائس کی برقی کارکردگی کی حدود کا تعین کرتی ہے۔ یہ مضمون سنگل کرسٹل سلکان اور سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹس اور CVD/MBE ایپیٹیکسیل پروسیس کے درمیان بنیادی فرقوں کا گہرائی سے تجزیہ فراہم کرتا ہے، اور یہ بتاتا ہے کہ کس طرح ایپیٹیکسیل ٹیکنالوجی ہائی فریکوئنسی اور ہائی وولٹیج ڈیوائسز کی کارکردگی کو بہتر بنا کر انجن کی کثافت میں خرابی کو کم کرتی ہے۔ چاہے آپ پروسیسنگ انجینئر ہوں یا پروکیورمنٹ فیصلہ ساز، یہ گائیڈ آپ کو سب سے موزوں ویفر سلیکشن حکمت عملی کی فوری شناخت کرنے میں مدد کرے گا۔