صنعت کی خبریں

سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں اینچنگ ٹیکنالوجی کو اکثر مسائل کا سامنا کرنا پڑتا ہے جیسے لوڈنگ اثر، مائیکرو گروو اثر اور چارجنگ اثر، جو مصنوعات کے معیار کو متاثر کرتے ہیں۔ بہتری کے حل میں پلازما کی کثافت کو بہتر بنانا، رد عمل کی گیس کی ساخت کو ایڈجسٹ کرنا، ویکیوم سسٹم کی کارکردگی کو بہتر بنانا، مناسب لیتھوگرافی لے آؤٹ ڈیزائن کرنا، اور مناسب اینچنگ ماسک مواد اور عمل کے حالات کا انتخاب شامل ہیں۔

اعلی کارکردگی والے ایس آئی سی سیرامکس کی تیاری کے لئے گرم ، شہوت انگیز دبانے والا sintering بنیادی طریقہ ہے۔ گرم دبانے والے sintering کے عمل میں شامل ہیں: اعلی طہارت SIC پاؤڈر کا انتخاب ، اعلی درجہ حرارت اور اعلی دباؤ کے تحت دبانے اور مولڈنگ ، اور پھر sintering۔ اس طریقہ کار کے ذریعہ تیار کردہ ایس آئی سی سیرامکس میں اعلی طہارت اور اعلی کثافت کے فوائد ہیں ، اور ویفر پروسیسنگ کے لئے پیسنے والی ڈسکس اور حرارت کے علاج کے سامان میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں۔

Silicon carbide (SiC) کے کلیدی ترقی کے طریقوں میں PVT، TSSG، اور HTCVD شامل ہیں، ہر ایک کے الگ الگ فوائد اور چیلنجز ہیں۔ کاربن پر مبنی تھرمل فیلڈ میٹریل جیسے موصلیت کے نظام، کروسیبلز، ٹی اے سی کوٹنگز، اور غیر محفوظ گریفائٹ استحکام، تھرمل چالکتا، اور پاکیزگی فراہم کرکے کرسٹل کی نمو کو بڑھاتے ہیں، جو SiC کی درست ساخت اور اطلاق کے لیے ضروری ہے۔

SiC میں اعلی سختی، تھرمل چالکتا، اور سنکنرن مزاحمت ہے، جو اسے سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے لیے مثالی بناتی ہے۔ CVD SiC کوٹنگ کیمیائی بخارات کے ذخیرہ کے ذریعے بنائی گئی ہے، جو اعلی تھرمل چالکتا، کیمیائی استحکام، اور epitaxial ترقی کے لیے ایک مماثل جالی مستقل فراہم کرتی ہے۔ اس کی کم تھرمل توسیع اور زیادہ سختی پائیداری اور درستگی کو یقینی بناتی ہے، جو اسے ویفر کیریئرز، پری ہیٹنگ رِنگز اور بہت کچھ میں ضروری بناتی ہے۔ VeTek سیمی کنڈکٹر متنوع صنعت کی ضروریات کے لیے اپنی مرضی کے مطابق SiC کوٹنگز میں مہارت رکھتا ہے۔

سلیکن کاربائڈ (ایس آئی سی) ایک اعلی صحت سے متعلق سیمیکمڈکٹر مواد ہے جو اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت ، سنکنرن مزاحمت ، اور اعلی مکینیکل طاقت جیسے عمدہ خصوصیات کے لئے جانا جاتا ہے۔ اس میں 200 سے زیادہ کرسٹل ڈھانچے ہیں ، 3C-SIC واحد کیوبک قسم ہے ، جو دوسری اقسام کے مقابلے میں اعلی قدرتی دائرہ کار اور کثافت کی پیش کش کرتا ہے۔ 3C-SIC اپنی اعلی الیکٹران کی نقل و حرکت کے لئے کھڑا ہے ، جس سے یہ بجلی کے الیکٹرانکس میں MOSFETS کے لئے مثالی ہے۔ مزید برآں ، یہ نانو الیکٹرانکس ، بلیو ایل ای ڈی ، اور سینسر میں بڑی صلاحیت کو ظاہر کرتا ہے۔

ڈائمنڈ، ایک ممکنہ چوتھی نسل کا "حتمی سیمی کنڈکٹر"، اپنی غیر معمولی سختی، تھرمل چالکتا، اور برقی خصوصیات کی وجہ سے سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس میں توجہ حاصل کر رہا ہے۔ اگرچہ اس کی اعلی قیمت اور پیداواری چیلنجز اس کے استعمال کو محدود کرتے ہیں، CVD ترجیحی طریقہ ہے۔ ڈوپنگ اور بڑے ایریا کرسٹل چیلنجوں کے باوجود، ہیرے نے وعدہ کیا ہے۔

ایس آئی سی اور گان وسیع بینڈ گیپ سیمیکمڈکٹر ہیں جن میں سلیکن سے زیادہ فوائد ہیں ، جیسے اعلی خرابی وولٹیجز ، تیز رفتار سوئچنگ کی رفتار اور اعلی کارکردگی۔ اعلی وولٹیج ، اعلی طاقت والے ایپلی کیشنز کے لئے اس کی اعلی تھرمل چالکتا کی وجہ سے ایس آئی سی بہتر ہے ، جبکہ GAN اعلی تعدد ایپلی کیشنز میں اس کی اعلی الیکٹران کی نقل و حرکت کی بدولت عبور رکھتا ہے۔

الیکٹران بیم بخارات مزاحمتی حرارت کے مقابلے میں ایک انتہائی موثر اور وسیع پیمانے پر استعمال شدہ کوٹنگ کا طریقہ ہے، جو بخارات کے مواد کو الیکٹران بیم سے گرم کرتا ہے، جس سے یہ بخارات بن کر ایک پتلی فلم میں گاڑھا ہو جاتا ہے۔

ویکیوم کوٹنگ میں فلمی مواد بخارات ، ویکیوم ٹرانسپورٹ اور پتلی فلم کی نمو شامل ہے۔ مختلف فلمی مادی بخارات کے طریقوں اور نقل و حمل کے عمل کے مطابق ، ویکیوم کوٹنگ کو دو قسموں میں تقسیم کیا جاسکتا ہے: پی وی ڈی اور سی وی ڈی۔

یہ مضمون VeTek Semiconductor's Porous Graphite کے جسمانی پیرامیٹرز اور مصنوعات کی خصوصیات کے ساتھ ساتھ سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ میں اس کی مخصوص ایپلی کیشنز کو بیان کرتا ہے۔

اس مضمون میں متعدد نقطہ نظر سے ٹینٹلم کاربائڈ کوٹنگ اور سلیکن کاربائڈ کوٹنگ کی مصنوعات کی خصوصیات اور اطلاق کے منظرناموں کا تجزیہ کیا گیا ہے۔

چپ مینوفیکچرنگ میں پتلی فلم جمع کرنا انتہائی ضروری ہے ، جس سے مائیکرو ڈیوائسز سی وی ڈی ، اے ایل ڈی ، یا پی وی ڈی کے ذریعے 1 مائکرون موٹی کے تحت فلمیں جمع کر کے ہیں۔ یہ عمل باری باری کنڈکٹو اور موصل فلموں کے ذریعے سیمیکمڈکٹر اجزاء تیار کرتے ہیں۔

سیمیکمڈکٹر مینوفیکچرنگ کے عمل میں آٹھ مراحل شامل ہیں: ویفر پروسیسنگ ، آکسیکرن ، لتھوگرافی ، اینچنگ ، ​​پتلی فلم جمع ، باہمی ربط ، جانچ اور پیکیجنگ۔ ریت سے سلیکن پر عملدرآمد کیا جاتا ہے ، آکسائڈائزڈ ، نمونہ دار ، اور اعلی صحت سے متعلق سرکٹس کے لئے کھڑا ہوتا ہے۔

اس مضمون میں بتایا گیا ہے کہ ایل ای ڈی سبسٹریٹ نیلم کا سب سے بڑا اطلاق ہے ، نیز نیلم کرسٹل تیار کرنے کے اہم طریقے ہیں: زیوکرالسکی کے طریقہ کار کے ذریعہ نیلم کرسٹل بڑھتے ہوئے ، کیروپلوس کے طریقہ کار کے ذریعہ نیلم کرسٹل بڑھتے ہوئے ، گائڈڈ ڈھال کے طریقہ کار سے بڑھتے ہوئے سیفائر کرسٹل ، اور بڑھتے ہوئے سیپ ہیٹ کے طریقہ کار سے۔

مضمون میں ایک ہی کرسٹل بھٹی میں درجہ حرارت کے میلان کی وضاحت کی گئی ہے۔ اس میں کرسٹل نمو ، ٹھوس مائع انٹرفیس ، اور استحکام میں درجہ حرارت کے میلان کے کردار کے دوران جامد اور متحرک گرمی کے کھیتوں کا احاطہ کیا گیا ہے۔

تائیکو پروسیس سلیکن نے اپنے اصولوں ، تکنیکی فوائد اور عمل کی ابتدا کا استعمال کرتے ہوئے سلیکن ویفر کیا۔