خبریں

8 انچ sic epitaxial بھٹی اور homoepitaxial عمل کی تحقیق

مضمون میں سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹ ویفرز جیسے سلکان، GaAs، SiC اور GaN کی مادی خصوصیات کا تجزیہ کیا گیا ہے۔

اس مضمون میں بنیادی طور پر GAN پر مبنی کم درجہ حرارت کی ایپیٹیکسیئل ٹکنالوجی کی وضاحت کی گئی ہے ، جس میں GAN پر مبنی مواد کی کرسٹل ڈھانچہ ، 3۔ Epitaxial ٹکنالوجی کی ضروریات اور عمل درآمد کے حل ، PVD اصولوں پر مبنی کم درجہ حرارت ایپیٹیکسیل ٹکنالوجی کے فوائد ، اور کم درجہ حرارت ایپیٹیکل ٹیکنالوجی کے ترقیاتی امکانات۔