سلکان آن انسولیٹر ویفر

کے کام کرنے کے اصولVeTek سیمی کنڈکٹرکیسلکان آن انسولیٹر ویفربنیادی طور پر اس کی منفرد ساخت اور مادی خصوصیات پر انحصار کرتا ہے۔ اور ایس او آئی ویفرتین تہوں پر مشتمل ہے: اوپری تہہ سنگل کرسٹل سلکان ڈیوائس کی تہہ ہے، درمیانی تہہ ایک انسولیٹنگ بیریڈ آکسائیڈ (BOX) پرت ہے، اور نیچے کی تہہ سپورٹنگ سلکان سبسٹریٹ ہے۔

انسولیٹر ویفرز پر سلکان کی ساخت (SOI)

موصلیت کی پرت کی تشکیل: سلیکون آن انسولیٹر ویفر عام طور پر Smart Cut™ ٹیکنالوجی یا SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) ٹیکنالوجی کا استعمال کرتے ہوئے تیار کیا جاتا ہے۔ Smart Cut™ ٹیکنالوجی بلبلے کی تہہ بنانے کے لیے سلیکون ویفر میں ہائیڈروجن آئنوں کو انجیکٹ کرتی ہے، اور پھر ہائیڈروجن انجکشن والے ویفر کو سپورٹ کرنے والے سلکان سے جوڑ دیتی ہے۔ویفر. 

گرمی کے علاج کے بعد، ہائیڈروجن انجکشن والے ویفر کو بلبلے کی تہہ سے الگ کر کے SOI ڈھانچہ بنایا جاتا ہے۔SIMOX ٹیکنالوجیاعلی درجہ حرارت پر سلکان آکسائیڈ کی تہہ بنانے کے لیے اعلی توانائی والے آکسیجن آئنوں کو سلکان ویفرز میں لگاتا ہے۔

پرجیوی گنجائش کو کم کریں۔: کی باکس پرتسلکان کاربائیڈ ویفرمؤثر طریقے سے آلہ کی پرت اور بیس سلکان کو الگ کرتا ہے، نمایاں طور پر کم کرتا ہے۔جی پرجیوی گنجائش یہ تنہائی بجلی کی کھپت کو کم کرتی ہے اور ڈیوائس کی رفتار اور کارکردگی کو بڑھاتی ہے۔

لیچ اپ اثرات سے بچیں: میں n-well اور p-well آلاتایس او آئی ویفرروایتی CMOS ڈھانچے میں لیچ اپ اثر سے گریز کرتے ہوئے، مکمل طور پر الگ تھلگ ہیں۔ یہ اجازت دیتا ہے۔ویفر SOI زیادہ رفتار سے تیار کیا جائے۔

Etch سٹاپ تقریب:دیسنگل کرسٹل سلکان ڈیوائس پرتاور SOI ویفر کا BOX پرت کا ڈھانچہ MEMS اور آپٹو الیکٹرانک آلات کی تیاری میں سہولت فراہم کرتا ہے، جو بہترین ایچ سٹاپ فنکشن فراہم کرتا ہے۔

ان خصوصیات کے ذریعے،سلکان آن انسولیٹر ویفرسیمی کنڈکٹر پروسیسنگ میں اہم کردار ادا کرتا ہے اور انٹیگریٹڈ سرکٹ (IC) کی مسلسل ترقی کو فروغ دیتا ہے اورمائیکرو الیکٹرو مکینیکل سسٹمز (MEMS)صنعتیں ہم خلوص دل سے آپ کے ساتھ مزید مواصلت اور تعاون کے منتظر ہیں۔

200mm SOl wafers کی تفصیلات کا پیرامیٹر:

سیلیکون آن انسولیٹر ویفرز پروڈکشن کی دکانیں: