انسولیٹر ویفر پر سلیکن

کام کرنے کا اصولیہ سیمیکمڈکٹر’ایسانسولیٹر ویفر پر سلیکنبنیادی طور پر اس کی منفرد ڈھانچے اور مادی خصوصیات پر انحصار کرتا ہے۔ اور سوئی ویفرتین پرتوں پر مشتمل ہے: اوپری پرت ایک سنگل کرسٹل سلیکن ڈیوائس پرت ہے ، وسط ایک موصلیت بخش دفن آکسائڈ (باکس) پرت ہے ، اور نیچے کی پرت ایک معاون سلکان سبسٹریٹ ہے۔

انسولیٹر ویفرز (ایس او آئی) پر سلیکن کی ساخت

موصلیت کی پرت کی تشکیل: انسولیٹر ویفر پر سلیکن عام طور پر اسمارٹ کٹ ™ ٹکنالوجی یا سیموکس (امپلانٹڈ آکسیجن کے ذریعہ علیحدگی) ٹکنالوجی کا استعمال کرتے ہوئے تیار کیا جاتا ہے۔ اسمارٹ کٹ ™ ٹکنالوجی بلبلے کی پرت کی تشکیل کے لئے سلیکن ویفر میں ہائیڈروجن آئنوں کو انجیکشن لگاتی ہے ، اور پھر ہائیڈروجن انجکشن والے ویفر کو معاون سلیکن سے بانڈ کرتی ہے۔وافر. 

گرمی کے علاج کے بعد ، ہائیڈروجن انجکشن والے ویفر کو بلبل کی پرت سے تقسیم کیا جاتا ہے تاکہ سوئی کا ڈھانچہ تشکیل پائے۔سیموکس ٹکنالوجیاعلی درجہ حرارت پر سلیکن آکسائڈ پرت بنانے کے لئے سلیکن ویفرز میں اعلی توانائی کے آکسیجن آئنوں کو ایمپلانٹس۔

پرجیوی اہلیت کو کم کریں: باکس کی پرتسلیکن کاربائڈ ویفرمؤثر طریقے سے ڈیوائس کی پرت اور بیس سلیکن کو الگ تھلگ کرتے ہیں ، نمایاں طور پر کم ہوجاتے ہیںجی پرجیوی اہلیت۔ یہ تنہائی بجلی کی کھپت کو کم کرتی ہے اور ڈیوائس کی رفتار اور کارکردگی کو بڑھاتی ہے۔

لیچ اپ اثرات سے پرہیز کریں: N-well اور p-well آلات میںسوئی ویفرروایتی سی ایم او ایس ڈھانچے میں لچ اپ اثر سے گریز کرتے ہوئے مکمل طور پر الگ تھلگ ہیں۔ یہ اجازت دیتا ہےوافر سوئی تیز رفتار سے تیار کیا جائے۔

Etch اسٹاپ فنکشن:سنگل کرسٹل سلیکن ڈیوائس پرتاور ایس او آئی ویفر کی باکس پرت کا ڈھانچہ ایم ای ایم ایس اور اوپٹ الیکٹرانک آلات کی تیاری میں سہولت فراہم کرتا ہے ، جس سے عمدہ اینچ اسٹاپ فنکشن مہیا ہوتا ہے۔

ان خصوصیات کے ذریعے ،انسولیٹر ویفر پر سلیکنسیمیکمڈکٹر پروسیسنگ میں ایک اہم کردار ادا کرتا ہے اور مربوط سرکٹ (آئی سی) کی مستقل ترقی کو فروغ دیتا ہے اورمائکرو الیکٹرو مکینیکل سسٹم (MEMS)صنعتیں۔ ہم آپ کے ساتھ مزید مواصلات اور تعاون کے منتظر ہیں۔

200 ملی میٹر سول ویفرز تفصیلات پیرامیٹر:

انسولیٹر پر سلیکن پروڈکشن شاپس کو ویفر کرتا ہے: