CVD TAC کوٹنگ کیسے تیار کریں؟ - ویٹیکسیکن

سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ کیا ہے؟

سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگاعلی طاقت ، سنکنرن مزاحمت اور اچھے کیمیائی استحکام کے ساتھ ایک اہم اعلی درجہ حرارت کا ساختی مواد ہے۔ اس کا پگھلنے والا نقطہ 3880 ℃ سے زیادہ ہے ، اور یہ درجہ حرارت سے بچنے والے اعلی ترین مرکبات میں سے ایک ہے۔ اس میں اعلی درجہ حرارت کی مکینیکل خصوصیات ، تیز رفتار ہوا کے بہاؤ کے کٹاؤ کے خلاف مزاحمت ، خاتمہ مزاحمت ، اور گریفائٹ اور کاربن/کاربن جامع مواد کے ساتھ اچھی کیمیائی اور مکینیکل مطابقت ہے۔

لہذا ، میںMOCVD epitaxial عملگان ایل ای ڈی اور ایس آئی سی پاور ڈیوائسز کے ،سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگH2 ، HC1 ، اور NH3 کے لئے بہترین تیزاب اور الکالی مزاحمت ہے ، جو گریفائٹ میٹرکس کے مواد کو مکمل طور پر حفاظت کرسکتا ہے اور نمو کے ماحول کو پاک کرسکتا ہے۔

سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ اب بھی 2000 ℃ سے زیادہ مستحکم ہے ، اور سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ 1200-1400 at پر گلنا شروع ہوتی ہے ، جو گریفائٹ میٹرکس کی سالمیت کو بھی بہت بہتر بنائے گی۔ بڑے ادارے تمام گریفائٹ سبسٹریٹس پر سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ تیار کرنے کے لئے سی وی ڈی کا استعمال کرتے ہیں ، اور ایس آئی سی پاور ڈیوائسز اور گینلیڈ ایپیٹیکسیل آلات کی ضروریات کو پورا کرنے کے لئے سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ کی پیداواری صلاحیت میں مزید اضافہ کریں گے۔

سی وی ڈی ٹینٹلم کاربائڈ کوٹنگ کی تیاری کے حالات

سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ کی تیاری کا عمل عام طور پر اعلی کثافت گریفائٹ کو سبسٹریٹ مواد کے طور پر استعمال کرتا ہے ، اور عیب سے پاک تیار کرتا ہےسی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگسی وی ڈی کے طریقہ کار کے ذریعہ گریفائٹ سطح پر۔

سی وی ڈی ٹی اے سی کی کوٹنگ تیار کرنے کے لئے سی وی ڈی کے طریقہ کار کا ادراک عمل اس طرح ہے: بخارات کے چیمبر میں رکھے ہوئے ٹھوس ٹینٹلم کا ذریعہ ایک خاص درجہ حرارت پر گیس میں ذخیرہ اندوزی کرتا ہے ، اور اسے اے آر کیریئر گیس کی ایک خاص بہاؤ کی شرح سے بخارات کے چیمبر سے باہر لے جایا جاتا ہے۔ ایک خاص درجہ حرارت پر ، گیسیئس ٹینٹلم ماخذ ہائیڈروجن کے ساتھ مل جاتا ہے اور اس میں گھٹ جاتا ہے جس میں کمی کا رد عمل ہوتا ہے۔ آخر میں ، کم ٹینٹلم عنصر جمع چیمبر میں گریفائٹ سبسٹریٹ کی سطح پر جمع ہوتا ہے ، اور کاربونائزیشن کا رد عمل ایک خاص درجہ حرارت پر ہوتا ہے۔

عمل کے پیرامیٹرز جیسے بخارات کا درجہ حرارت ، گیس کے بہاؤ کی شرح ، اور سی وی ڈی ٹی اے سی کی کوٹنگ کے عمل میں جمع درجہ حرارت کی تشکیل میں ایک بہت اہم کردار ادا کرتا ہےسی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ. اور مخلوط واقفیت کے ساتھ سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ ایک TACL5 - H2 - AR - C3H6 سسٹم کا استعمال کرتے ہوئے 1800 ° C پر آئسوڈرمل کیمیائی بخارات جمع کرنے کے ذریعہ تیار کی گئی تھی۔

سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ تیار کرنے کا عمل

چترا 1 کیمیائی بخارات جمع کرنے (سی وی ڈی) ری ایکٹر کی تشکیل اور ٹی اے سی جمع کرنے کے لئے گیس کی ترسیل سے متعلق نظام کو ظاہر کرتا ہے۔

چترا 2 مختلف میگنیفیکیشنز پر سی وی ڈی ٹی اے سی کی کوٹنگ کی سطح کی شکل کو ظاہر کرتا ہے ، جس میں کوٹنگ کی کثافت اور اناج کی شکل کو ظاہر کیا گیا ہے۔

چترا 3 وسطی علاقے میں خاتمے کے بعد سی وی ڈی ٹی اے سی کی کوٹنگ کی سطح کی شکل کو ظاہر کرتا ہے ، جس میں سطح پر دھندلا ہوا اناج کی حدود اور سیال پگھلا ہوا آکسائڈ بھی شامل ہیں۔

چترا 4 ابلیشن کے بعد مختلف علاقوں میں سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ کے XRD نمونوں کو ظاہر کرتا ہے ، جس میں ابلیشن مصنوعات کی مرحلے کی تشکیل کا تجزیہ کیا جاتا ہے ، جو بنیادی طور پر β-ta2o5 اور α-ta2o5 ہیں۔