mocvd sic کوٹنگ حساسپٹر

ویٹیک سیمیکمڈکٹر MOCVD SIC کوٹنگ حساسپٹر اعلی معیار سے بنا ہےگریفائٹ، جو اس کے تھرمل استحکام اور عمدہ تھرمل چالکتا (تقریبا 120-150 ڈبلیو/ایم · کے) کے لئے منتخب کیا گیا ہے۔ گریفائٹ کی موروثی خصوصیات اسے اندر کے سخت حالات کا مقابلہ کرنے کے لئے ایک مثالی مواد بناتی ہیںMOCVD ری ایکٹر. اس کی کارکردگی کو بہتر بنانے اور اس کی سروس کی زندگی کو بڑھانے کے لیے، گریفائٹ سسپٹر کو احتیاط سے سلکان کاربائیڈ (SiC) کی ایک تہہ کے ساتھ لیپت کیا جاتا ہے۔

MOCVD SiC کوٹنگ سسیپٹر ایک کلیدی جزو ہے جس میں استعمال کیا جاتا ہے۔کیمیائی بخارات جمع (CVD)اوردھاتی نامیاتی کیمیائی بخارات جمع (MOCVD) کے عمل. اس کا بنیادی کام سلیکون یا سلکان کاربائیڈ (SiC) ویفرز کو سپورٹ اور گرم کرنا ہے اور اعلی درجہ حرارت والے ماحول میں گیس کے یکساں ذخیرہ کو یقینی بنانا ہے۔ یہ سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ میں ایک ناگزیر مصنوعات ہے۔

سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ میں MOCVD SiC کوٹنگ سسیپٹر کی ایپلی کیشنز:

ویفر سپورٹ اور ہیٹنگ:

MOCVD SiC کوٹنگ susceptor نہ صرف ایک طاقتور سپورٹ فنکشن ہے، بلکہ مؤثر طریقے سے گرم کر سکتے ہیںوافریکساں طور پر کیمیائی بخارات جمع کرنے کے عمل کے استحکام کو یقینی بنانے کے لیے۔ جمع کرنے کے عمل کے دوران، SiC کوٹنگ کی اعلی تھرمل چالکتا گرمی کی توانائی کو تیزی سے ویفر کے ہر حصے میں منتقل کر سکتی ہے، مقامی زیادہ گرمی یا ناکافی درجہ حرارت سے بچتے ہوئے، اس طرح یہ یقینی بناتی ہے کہ کیمیائی گیس ویفر کی سطح پر یکساں طور پر جمع ہو سکتی ہے۔ یہ یکساں حرارتی اور جمع کرنے کا اثر ویفر پروسیسنگ کی مستقل مزاجی کو بہت بہتر بناتا ہے، ہر ویفر کی سطح کی فلم کی موٹائی کو یکساں بناتا ہے اور خرابی کی شرح کو کم کرتا ہے، سیمی کنڈکٹر ڈیوائسز کی پیداواری پیداوار اور کارکردگی کی وشوسنییتا کو مزید بہتر بناتا ہے۔

ایپیٹیکسی نمو:

میںMOCVD عمل، ایس آئی سی لیپت کیریئر ایپیٹیکسی نمو کے عمل میں کلیدی اجزاء ہیں۔ وہ خاص طور پر سلیکن اور سلیکن کاربائڈ ویفروں کی حمایت اور گرم کرنے کے لئے استعمال ہوتے ہیں ، اس بات کو یقینی بناتے ہیں کہ کیمیائی بخارات کے مرحلے میں مواد کو یکساں اور درست طریقے سے ویفر سطح پر جمع کیا جاسکتا ہے ، اس طرح اعلی معیار ، عیب سے پاک پتلی فلمی ڈھانچے تشکیل پاتے ہیں۔ ایس آئی سی کوٹنگز نہ صرف اعلی درجہ حرارت کے خلاف مزاحم ہیں ، بلکہ آلودگی اور سنکنرن سے بچنے کے لئے پیچیدہ عمل کے ماحول میں کیمیائی استحکام کو بھی برقرار رکھتے ہیں۔ لہذا ، ایس آئی سی لیپت کیریئرز اعلی صحت سے متعلق سیمیکمڈکٹر آلات جیسے ایس آئی سی پاور ڈیوائسز (جیسے ایس آئی سی موسفٹ اور ڈایڈس) ، ایل ای ڈی (خاص طور پر نیلے اور الٹرا وایلیٹ ایل ای ڈی) ، اور فوٹو وولٹیک سولر سیل کے ایپیٹیکسی نمو کے عمل میں اہم کردار ادا کرتے ہیں۔

گیلیم نائٹرائڈ (GaN)اور گیلیم آرسنائڈ (GAAS) ایپیٹیکسی:

بہترین تھرمل چالکتا اور کم تھرمل ایکسپینشن گتانک کی وجہ سے SiC کوٹڈ کیریئرز GaN اور GaAs ایپیٹیکسیل تہوں کی نشوونما کے لیے ایک ناگزیر انتخاب ہیں۔ ان کی موثر تھرمل چالکتا ایپیٹیکسیل نمو کے دوران گرمی کو یکساں طور پر تقسیم کر سکتی ہے، اس بات کو یقینی بناتی ہے کہ جمع شدہ مواد کی ہر پرت ایک کنٹرول شدہ درجہ حرارت پر یکساں طور پر بڑھ سکتی ہے۔ ایک ہی وقت میں، SiC کی کم تھرمل توسیع اسے درجہ حرارت کی انتہائی تبدیلیوں کے تحت جہتی طور پر مستحکم رہنے کی اجازت دیتی ہے، مؤثر طریقے سے ویفر کی خرابی کے خطرے کو کم کرتی ہے، اس طرح ایپیٹیکسیل پرت کے اعلی معیار اور مستقل مزاجی کو یقینی بناتا ہے۔ یہ خصوصیت SiC کوٹڈ کیریئرز کو اعلی تعدد، اعلی طاقت والے الیکٹرانک آلات (جیسے GaN HEMT آلات) اور آپٹیکل کمیونیکیشنز اور آپٹو الیکٹرانک آلات (جیسے GaAs پر مبنی لیزرز اور ڈیٹیکٹرز) کی تیاری کے لیے ایک مثالی انتخاب بناتی ہے۔

یہ سیمیکمڈکٹرmocvd sic کوٹنگ حساسیت کی دکانیں: