SiC کرسٹل کی ترقی کے لیے ہائی پیوریٹی SiC پاؤڈر

1. کلیدی خصوصیات

· اعلی طہارت کی سطح:طہارت کی صلاحیتیں 99.9999% (6N گریڈ) تک پہنچ جاتی ہیں۔

انتہائی کم دھاتی نجاست:کم سے کم ٹریس میٹل آلودگی کو SiC کرسٹل نمو کے لیے بہتر بنایا گیا ہے۔

· مکمل شفافیت:مکمل GDMS (گلو ڈسچارج ماس سپیکٹرو میٹری) ٹیسٹنگ ڈیٹا ہر بیچ کے لیے دستیاب ہے۔

· مستحکم تھرمل کارکردگی:PVT نمو کے دوران انتہائی قابل قیاس اور یکساں سربلندی کا برتاؤ۔

· کنٹرول شدہ پارٹیکل سائز ڈسٹری بیوشن:مسلسل پیکنگ کثافت کو برقرار رکھنے کے لیے گرینولومیٹری کی احتیاط سے نگرانی کی جاتی ہے۔

· موزوں فارمولیشنز:اپنی مرضی کے ذرہ سائز اور تقسیم کے منحنی خطوط درخواست پر دستیاب ہیں۔

· سیمی کنڈکٹر کوالٹی سٹینڈرڈ:سیمی کنڈکٹر گریڈ کوالٹی مینجمنٹ سسٹم کے تحت سختی سے تیار کیا گیا ہے۔

2. پروڈکٹ ویژول

3. تکنیکی وضاحتیں

4. درخواستیں

PVT SiC کرسٹل گروتھ:کنڈکٹو اور سیمی انسولیٹنگ SiC انگوٹ۔

· سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس:ویفر سبسٹریٹ اور ایپیٹیکسیل پروسیسنگ خام مال۔

· اعلی درجے کے تھرمل اجزاء:اعلی درجے کے سیرامک ​​اجزاء اور سسپٹر کوٹنگز۔

آر اینڈ ڈی ایپلی کیشنز:اگلی نسل کی پاور الیکٹرانکس ریسرچ اور اعلی تعدد والے آلات۔

5. کیوں VeTek سیمی کنڈکٹر کا انتخاب کریں؟

· ملکیتی طہارت:سنگل کرسٹل نمو کے لیے 6N تک طہارت فراہم کرنے والی جدید ترین تکنیک۔

· سخت کوالٹی کنٹرول:سخت سیمی کنڈکٹر-گریڈ آلودگی کنٹرول کے ساتھ سرشار کوالٹی اشورینس۔

حسب ضرورت لچک:مختلف PVT فرنس کروسیبل وضاحتیں فٹ ہونے کے لیے لچکدار کسٹم پارٹیکل سائزنگ۔

· مستحکم سپلائی چین:قابل اعتماد فراہمی کی صلاحیت مستحکم طویل مدتی بڑے پیمانے پر پیداوار کی فراہمی کی ضمانت دیتی ہے۔

· تکنیکی مہارت:آپ کے مخصوص کرسٹل نمو کے عمل کے مطابق مکمل تکنیکی مدد۔