سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی

اعلی معیار کے سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی کی تیاری کا انحصار جدید ٹیکنالوجی اور سازوسامان اور سامان کے لوازمات پر ہے۔ فی الحال ، سب سے زیادہ استعمال شدہ سلکان کاربائڈ ایپیٹیکسی نمو کا طریقہ کیمیائی بخارات جمع (سی وی ڈی) ہے۔ اس میں ایپیٹیکسیل فلم کی موٹائی اور ڈوپنگ حراستی ، کم نقائص ، اعتدال پسند نمو کی شرح ، خودکار عمل پر قابو پانے ، وغیرہ کے عین مطابق کنٹرول کے فوائد ہیں ، اور یہ ایک قابل اعتماد ٹکنالوجی ہے جو تجارتی طور پر کامیابی کے ساتھ استعمال کی گئی ہے۔

سلیکن کاربائڈ سی وی ڈی ایپیٹیکسی عام طور پر گرم دیوار یا گرم دیوار سی وی ڈی آلات کو اپناتا ہے ، جو اعلی نمو کے درجہ حرارت کے حالات (1500 ~ 1700 ℃) کے تحت ایپیٹیکسی پرت 4 ایچ کرسٹل لائن ایس آئی سی کے تسلسل کو یقینی بناتا ہے ، گرم دیوار یا گرم دیوار سی وی ڈی کو ترقی کے سالوں کے بعد ، انلیٹ ہوا کے بہاؤ کی سمت اور سبسٹریٹ سطح کے مابین تعلقات کے مطابق ، رد عمل ، رد عمل چیمبر کو تقسیم کیا جاسکتا ہے۔

ایس آئی سی ایپیٹاکسیل فرنس کے معیار کے لئے تین اہم اشارے ہیں ، سب سے پہلے ایپیٹیکسیئل نمو کی کارکردگی ہے ، جس میں موٹائی یکسانیت ، ڈوپنگ یکسانیت ، عیب کی شرح اور شرح نمو شامل ہیں۔ دوسرا سامان خود کی درجہ حرارت کی کارکردگی ہے ، جس میں حرارتی/ٹھنڈک کی شرح ، زیادہ سے زیادہ درجہ حرارت ، درجہ حرارت کی یکسانیت شامل ہے۔ آخر میں ، ایک ہی یونٹ کی قیمت اور صلاحیت سمیت خود سامان کی لاگت کی کارکردگی۔

تین طرح کے سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسیئل گروتھ فرنس اور بنیادی لوازمات کے اختلافات

ہاٹ وال افقی سی وی ڈی (ایل پی ای کمپنی کا عام ماڈل PE1O6) ، گرم وال سیارے کی سی وی ڈی (عام ماڈل آئکسٹرون جی 5 ڈبلیو ڈبلیو سی/جی 10) اور کوسی گرم دیوار سی وی ڈی (نیفلر کمپنی کے ایپیرووس 6 کی نمائندگی کرتے ہیں) مرکزی دھارے میں شامل ہونے والے ایپیٹیکسل آلات تکنیکی حل ہیں جو اس مرحلے میں سمجھتے ہیں۔ تینوں تکنیکی آلات کی بھی اپنی اپنی خصوصیات ہیں اور انہیں مطالبہ کے مطابق منتخب کیا جاسکتا ہے۔ ان کی ساخت کو مندرجہ ذیل دکھایا گیا ہے:

AIXTRON G5 MOCVD حساسین

آئکسٹرون جی 5 ایم او سی وی ڈی سسٹم میں گریفائٹ میٹریل ، سلیکن کاربائڈ لیپت گریفائٹ ، کوارٹج ، سخت محسوس شدہ مواد وغیرہ پر مشتمل ہے۔ ویٹیک سیمیکمڈکٹر اس سسٹم کے لئے اجزاء کا پورا سیٹ اپنی مرضی کے مطابق اور تیار کرسکتا ہے۔ ہم کئی سالوں سے سیمیکمڈکٹر گریفائٹ اور کوارٹج حصوں میں مہارت حاصل کر رہے ہیں۔ یہ ایکسٹٹرون جی 5 ایم او سی وی ڈی سوسیسٹرس کٹ سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے لئے اس کے زیادہ سے زیادہ سائز ، مطابقت اور اعلی پیداوری کے ساتھ ایک ورسٹائل اور موثر حل ہے۔

مزید دیکھیں >> انکوائری بھیجیں۔ >>

G5 کے لیے GaN Epitaxial Graphite ریسیپٹر

ویٹیک سیمیکمڈکٹر ایک پیشہ ور کارخانہ دار اور سپلائر ہے ، جو G5 کے لئے اعلی معیار کے GAN Epitaxial گریفائٹ حساسیت فراہم کرنے کے لئے وقف ہے۔ ہم نے اپنے صارفین کا اعتماد اور احترام حاصل کرتے ہوئے اندرون و بیرون ملک متعدد معروف کمپنیوں کے ساتھ طویل مدتی اور مستحکم شراکت قائم کی ہے۔

مزید دیکھیں >> انکوائری بھیجیں۔ >>

الٹرا خالص گریفائٹ نچلے نصف مون

ویٹیک سیمیکمڈکٹر چین میں اپنی مرضی کے مطابق الٹرا خالص گریفائٹ نچلے نصف مون کا ایک اہم سپلائر ہے ، جو کئی سالوں سے جدید مواد میں مہارت رکھتا ہے۔ ہمارا الٹرا خالص گریفائٹ لوئر ہاف مون خاص طور پر ایس آئی سی ایپیٹیکسیل آلات کے لئے ڈیزائن کیا گیا ہے ، جس سے عمدہ کارکردگی کو یقینی بنایا گیا ہے۔ الٹرا پیور امپورٹڈ گریفائٹ سے بنا ، یہ وشوسنییتا اور استحکام پیش کرتا ہے۔ ہمارے اعلی معیار کے الٹرا خالص گریفائٹ نچلے آدھے مونون کی تلاش کے ل China چین میں ہماری فیکٹری کا دورہ کریں۔ کسی بھی وقت مشورہ کرنے کا امکان۔

مزید دیکھیں >> انکوائری بھیجیں۔ >>

اوپری ہافمون پارٹ سیکٹڈ

وٹیک سیمیکمڈکٹر چین میں اپنی مرضی کے مطابق اپر آدھے مونون پارٹ ایس آئی سی کا ایک اہم سپلائر ہے ، جو 20 سال سے زیادہ عرصے تک جدید مواد میں مہارت رکھتا ہے۔ ویٹیک سیمیکمڈکٹر اوپری ہافمون پارٹ ایس آئی سی لیپت خاص طور پر ایس آئی سی ایپیٹاکسیل آلات کے لئے ڈیزائن کیا گیا ہے ، جو رد عمل چیمبر میں ایک اہم جز کے طور پر کام کرتا ہے۔ الٹرا پیور ، سیمیکمڈکٹر گریڈ گریفائٹ سے بنا ، یہ عمدہ کارکردگی کو یقینی بناتا ہے۔ ہم آپ کو چین میں ہماری فیکٹری کا دورہ کرنے کی دعوت دیتے ہیں۔ کسی بھی وقت مشورہ کرنے کے لئے ویلکم۔

مزید دیکھیں >> انکوائری بھیجیں۔ >>

سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی ویفر کیریئر

ویٹیک سیمیکمڈکٹر چین میں ایک معروف اپنی مرضی کے مطابق سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی ویفر کیریئر سپلائر ہے۔ ہم 20 سال سے زیادہ عرصے تک جدید مادے میں مہارت حاصل کر چکے ہیں۔ ہم سکی ایپیٹاکسیل ری ایکٹر میں ایس آئی سی سبسٹریٹ ، بڑھتی ہوئی ساک ایپیٹیکسی پرت لے جانے کے لئے سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی ویفر کیریئر پیش کرتے ہیں۔ یہ سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی ویفر کیریئر آدھے مونون حصے ، اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت ، آکسیکرن مزاحمت ، پہننے کے خلاف مزاحمت کا ایک اہم sic لیپت حصہ ہے۔ ہم آپ کا خیرمقدم کرتے ہیں کہ آپ چین میں ہماری فیکٹری کا دورہ کریں۔ کسی بھی وقت مشورہ کرنے کا امکان ہے۔

مزید دیکھیں >> انکوائری بھیجیں۔ >>

ایل پی ای ری ایکٹر کے لئے 8 انچ ہافمون حصہ

ویٹیک سیمیکمڈکٹر چین میں سیمیکمڈکٹر کے ایک معروف سازوسامان تیار کرنے والا ہے ، جس میں ایل پی ای ری ایکٹر کے لئے آر اینڈ ڈی اور 8 انچ کے آدھے میمون حصے کی تیاری پر توجہ دی جارہی ہے۔ ہم نے گذشتہ برسوں میں خاص طور پر ایس آئی سی کوٹنگ میٹریل میں بھرپور تجربہ جمع کیا ہے ، اور ایل پی ای ایپیٹاکسیل ری ایکٹرز کے لئے تیار کردہ موثر حل فراہم کرنے کے لئے پرعزم ہیں۔ ایل پی ای ری ایکٹر کے لئے ہمارا 8 انچ ہافمون حصہ بہترین کارکردگی اور مطابقت رکھتا ہے ، اور یہ ایپیٹاکسیل مینوفیکچرنگ میں ایک ناگزیر کلیدی جز ہے۔ ہماری مصنوعات کے بارے میں مزید جاننے کے لئے اپنی انکوائری کا خیرمقدم کریں۔

مزید دیکھیں >> انکوائری بھیجیں۔ >>

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.

Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.

Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs, IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.

Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.

To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.

چین میں ایک پیشہ ور سلیکن کاربائڈ ایپیٹیکسی صنعت کار اور سپلائر کی حیثیت سے ، ہمارے پاس اپنی فیکٹری ہے۔ چاہے آپ کو اپنے خطے کی مخصوص ضروریات کو پورا کرنے کے لئے اپنی مرضی کے مطابق خدمات کی ضرورت ہو یا چین میں بنایا ہوا جدید اور پائیدار {77 خریدنا چاہتے ہو ، آپ ہمیں ایک پیغام چھوڑ سکتے ہیں۔