ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت گائیڈ رنگ

تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر سلکان کاربائیڈ (SiC) کرسٹل کی نشوونما کے لیے اعلی درجہ حرارت (2000-2200°C) کی ضرورت ہوتی ہے اور یہ چھوٹے چیمبروں میں پیچیدہ ماحول کے ساتھ پایا جاتا ہے جس میں Si, C، SiC بخارات کے اجزاء ہوتے ہیں۔ اعلی درجہ حرارت پر گریفائٹ کے اتار چڑھاؤ اور ذرات کرسٹل کے معیار کو متاثر کر سکتے ہیں، جس سے کاربن کی شمولیت جیسے نقائص پیدا ہوتے ہیں۔ جب کہ SiC کوٹنگز کے ساتھ گریفائٹ کروسیبلز epitaxial بڑھوتری میں عام ہیں، Silicon Carbide homoepitaxy کے لیے تقریباً 1600°C پر، SiC گریفائٹ پر اپنی حفاظتی خصوصیات کو کھوتے ہوئے مرحلے کی منتقلی سے گزر سکتا ہے۔ ان مسائل کو کم کرنے کے لیے، ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ مؤثر ہے۔ ٹینٹلم کاربائیڈ، ایک اعلی پگھلنے والے نقطہ (3880 ° C) کے ساتھ، واحد مواد ہے جو 3000 ° C سے اوپر اچھی میکانکی خصوصیات کو برقرار رکھتا ہے، بہترین اعلی درجہ حرارت کی کیمیائی مزاحمت، کٹاؤ آکسیڈیشن مزاحمت، اور اعلی اعلی درجہ حرارت کی میکانی خصوصیات پیش کرتا ہے۔

SiC کرسٹل کی ترقی کے عمل میں، SiC سنگل کرسٹل کی تیاری کا بنیادی طریقہ PVT طریقہ ہے۔ کم دباؤ اور اعلی درجہ حرارت کے حالات میں، بڑے ذرہ سائز (>200μm) کے ساتھ سلکان کاربائیڈ پاؤڈر گل جاتا ہے اور مختلف گیس فیز مادوں میں سمٹ جاتا ہے، جو درجہ حرارت کے میلان کی ڈرائیو کے تحت کم درجہ حرارت کے ساتھ سیڈ کرسٹل میں لے جایا جاتا ہے اور رد عمل اور جمع، اور سلیکن کاربائیڈ سنگل کرسٹل میں دوبارہ کرسٹلائز کریں۔ اس عمل میں، ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت گائیڈ کی انگوٹی اس بات کو یقینی بنانے کے لیے اہم کردار ادا کرتی ہے کہ ماخذ کے علاقے اور نمو کے علاقے کے درمیان گیس کا بہاؤ مستحکم اور یکساں ہے، اس طرح کرسٹل کی نمو کے معیار کو بہتر بناتا ہے اور ہوا کے ناہموار بہاؤ کے اثرات کو کم کرتا ہے۔

PVT طریقہ SiC سنگل کرسٹل گروتھ میں ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت گائیڈ رنگ کا کردار

●  ہوا کے بہاؤ کی رہنمائی اور تقسیم

TaC کوٹنگ گائیڈ رنگ کا بنیادی کام ماخذ گیس کے بہاؤ کو کنٹرول کرنا ہے اور اس بات کو یقینی بنانا ہے کہ گیس کا بہاؤ یکساں طور پر ترقی کے پورے علاقے میں تقسیم ہو۔ ہوا کے بہاؤ کے راستے کو بہتر بنا کر، یہ گیس کو نمو کے علاقے میں زیادہ یکساں طور پر جمع کرنے میں مدد کر سکتا ہے، اس طرح SiC سنگل کرسٹل کی زیادہ یکساں نشوونما کو یقینی بناتا ہے اور غیر مساوی ہوا کے بہاؤ کی وجہ سے پیدا ہونے والے نقائص کو کم کرتا ہے۔ کرسٹل معیار.

● درجہ حرارت گریڈینٹ کنٹرول

ایس آئی سی سنگل کرسٹل کی ترقی کے عمل میں ، درجہ حرارت کا میلان بہت ضروری ہے۔ ٹی اے سی کی کوٹنگ گائیڈ کی انگوٹی ماخذ کے علاقے اور نمو کے علاقے میں گیس کے بہاؤ کو منظم کرنے میں مدد فراہم کرسکتی ہے ، بالواسطہ درجہ حرارت کی تقسیم کو متاثر کرتی ہے۔ مستحکم ہوا کا بہاؤ درجہ حرارت کے میدان کی یکسانیت میں مدد کرتا ہے ، اس طرح کرسٹل کے معیار کو بہتر بناتا ہے۔

gas گیس ٹرانسمیشن کی کارکردگی کو بہتر بنائیں

چونکہ ایس آئی سی سنگل کرسٹل نمو کو وسعت اور منبع کے مواد کو جمع کرنے کے عین مطابق کنٹرول کی ضرورت ہوتی ہے ، لہذا ٹی اے سی کوٹنگ گائیڈ رنگ کا ڈیزائن گیس ٹرانسمیشن کی کارکردگی کو بہتر بنا سکتا ہے ، جس سے ماخذ مادی گیس کو ترقی کے علاقے میں زیادہ موثر انداز میں بہہ سکتا ہے ، جس سے نمو کو بہتر بنایا جاسکتا ہے۔ ایک ہی کرسٹل کی شرح اور معیار۔

VeTek سیمی کنڈکٹر کی ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹیڈ گائیڈ رِنگ اعلیٰ معیار کے گریفائٹ اور TaC کوٹنگ پر مشتمل ہے۔ اس میں مضبوط سنکنرن مزاحمت، مضبوط آکسیکرن مزاحمت، اور مضبوط مکینیکل طاقت کے ساتھ طویل خدمت زندگی ہے۔ VeTek Semiconductor کی تکنیکی ٹیم آپ کو سب سے مؤثر تکنیکی حل حاصل کرنے میں مدد کر سکتی ہے۔ اس سے کوئی فرق نہیں پڑتا ہے کہ آپ کی ضروریات کیا ہیں، VeTek Semiconductor متعلقہ اپنی مرضی کے مطابق مصنوعات فراہم کر سکتا ہے اور آپ کی انکوائری کا منتظر ہے۔

ٹی اے سی کوٹنگ کی جسمانی خصوصیات

VeTek سیمی کنڈکٹر کی ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت گائیڈ رنگ کی مصنوعات کی دکانیں۔