Veeco mocvd پروویڈنس

سیمیکمڈکٹر کا سودا کرتا ہےVeeco mocvdوافر سوسسیپٹر ایک اہم جزو ہے ، جس کے ساتھ الٹرا پیور گریفائٹ کا استعمال کرتے ہوئے احتیاط سے انجنیئر ہےسلیکن کاربائڈ (ایس آئی سی) کوٹنگ. یہsic کوٹنگمتعدد فوائد فراہم کرتا ہے ، خاص طور پر سبسٹریٹ میں موثر تھرمل منتقلی کو قابل بناتا ہے۔ یکساں درجہ حرارت پر قابو پانے کے لئے زیادہ سے زیادہ تھرمل تقسیم کا حصول ضروری ہے ، مستقل ، اعلی معیار کی پتلی فلم جمع کو یقینی بنانا ، جو سیمیکمڈکٹر ڈیوائس کی تعمیر میں بہت ضروری ہے۔

تکنیکی پیرامیٹرز

مادی خصوصیات کا میٹرکس

کلیدی اشارے معیاری روایتی حلوں کو وٹیک کرتے ہیں

بیس میٹریل طہارت 6N isostatic گریفائٹ 5N مولڈ گریفائٹ

CTE مماثل ڈگری (25-1400 ℃) Δα ≤0.3 × 10⁻⁶/ K Δα ≥1.2 × 10⁻⁶/ K.

تھرمل چالکتا @800 ℃ 110 W/M · K 85 W/M · K.

سطح کی کھردری (RA) ≤0.1μm ≥0.5μm

ایسڈ رواداری (پی ایچ = 1@80 ℃) 1500 سائیکل 300 سائیکل

بنیادی فائدہ کی تعمیر نو

تھرمل مینجمنٹ انوویشن

ایٹم سی ٹی ای مماثل تکنیک

جاپان ٹویو کاربن گریفائٹ/ایس جی ایل سبسٹریٹ + میلان ایس آئی سی کوٹنگ

تھرمل سائیکل تناؤ میں 82 ٪ کم ہوا (ماپنے 1400 ℃↔RT 500 سائیکل بغیر کریکنگ کے)

ذہین تھرمل فیلڈ ڈیزائن

12 زون درجہ حرارت معاوضہ کا ڈھانچہ: φ200 ملی میٹر ویفر کی سطح پر ± 0.5 ℃ یکسانیت حاصل کرتا ہے

متحرک تھرمل رسپانس: 5 ℃/s حرارتی شرح پر درجہ حرارت میلان ≤1.2 ℃/سینٹی میٹر

کیمیائی تحفظ کا نظام
ٹرپل جامع رکاوٹ

50μm گھنے sic اہم حفاظتی پرت

نانوٹاک منتقلی پرت (اختیاری)

گیس کے مرحلے میں دراندازی کی کثافت

ASTM G31-21 کے ذریعہ تصدیق شدہ:

سی ایل بیس سنکنرن کی شرح <0.003 ملی میٹر/سال

NH3 اناج کی حد کے سنکنرن کے بغیر 1000h کے لئے بے نقاب ہے

ذہین مینوفیکچرنگ سسٹم

ڈیجیٹل جڑواں پروسیسنگ

پانچ محور مشینی مرکز: پوزیشن کی درستگی ± 1.5μm

آن لائن 3D اسکیننگ معائنہ: 100 ٪ مکمل سائز کی توثیق (ASME Y14.5 کے مطابق)

منظر پر مبنی ویلیو پریزنٹیشن

تیسری نسل کے سیمیکمڈکٹر بڑے پیمانے پر پیداوار

درخواست کا منظر نامہ پیرامیٹرز کسٹمر فوائد

گان ہیمٹ 6 انچ /150μm epitaxial دو جہتی الیکٹران گیس کثافت اتار چڑھاؤ <2 ٪

SIC MOSFET C ڈوپنگ یکسانیت ± 3 ٪ تھریشولڈ وولٹیج انحراف میں 40 ٪ کمی واقع ہوئی ہے

مائیکرو ایل ای ڈی طول موج کی یکسانیت ± 1.2nm چپ بن کی شرح میں 15 فیصد اضافہ ہوا

بحالی لاگت کی اصلاح

صفائی کی مدت کو 3 بار بڑھایا جاتا ہے: HF: HNO ₃ = 1: 3 اعلی شدت کی صفائی کی حمایت کی جاتی ہے

اسپیئر پارٹس لائف پیشن گوئی کا نظام: AI الگورتھم کی درستگی ± 5 ٪

ویٹیک سیمیکمڈکٹر ویوکو موکویڈ سوسسیپٹر شاپس: