خبریں

ٹینٹلم کاربائڈ (ٹی اے سی) کوٹنگز سیمیکمڈکٹر فیلڈ میں وسیع پیمانے پر استعمال ہوتی ہیں ، بنیادی طور پر ایپیٹاکسیل گروتھ ری ایکٹر اجزاء ، سنگل کرسٹل نمو کے کلیدی اجزاء ، اعلی درجہ حرارت کے صنعتی اجزاء ، ایم او سی وی ڈی سسٹم ہیٹر اور ویفر کیریئرز کے لئے۔

sic epitaxial نمو کے عمل کے دوران ، sic لیپت گریفائٹ معطلی کی ناکامی ہوسکتی ہے۔ یہ مقالہ ایس آئی سی لیپت گریفائٹ معطلی کے ناکامی کے رجحان کا سخت تجزیہ کرتا ہے ، جس میں بنیادی طور پر دو عوامل شامل ہیں: ایس آئی سی ایپیٹیکسیل گیس کی ناکامی اور ایس آئی سی کوٹنگ کی ناکامی۔

اس مضمون میں بنیادی طور پر متعلقہ عمل کے فوائد اور مالیکیولر بیم ایپیٹیکسی عمل اور دھاتی نامیاتی کیمیائی بخارات جمع کرنے والی ٹیکنالوجیز کے اختلافات پر تبادلہ خیال کیا گیا ہے۔

VeTek Semiconductor's Porous Tantalum Carbide، SiC کرسٹل گروتھ میٹریل کی ایک نئی نسل کے طور پر، بہت سی بہترین مصنوعات کی خصوصیات کا حامل ہے اور مختلف سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ ٹیکنالوجیز میں کلیدی کردار ادا کرتا ہے۔

ایپیٹیکسیل فرنس کا کام کرنے والا اصول سیمیکمڈکٹر مواد کو اعلی درجہ حرارت اور اعلی دباؤ کے تحت سبسٹریٹ پر جمع کرنا ہے۔ سلیکن ایپیٹیکسیئل نمو ایک خاص کرسٹل واقفیت کے ساتھ سلیکن سنگل کرسٹل سبسٹریٹ پر سبسٹریٹ اور مختلف موٹائی کے ساتھ کرسٹل کی ایک پرت کو بڑھانا ہے۔ اس مضمون میں بنیادی طور پر سلیکن ایپیٹیکسیئل نمو کے طریقوں کو متعارف کرایا گیا ہے: بخارات کے مرحلے کی ایپیٹیکسی اور مائع مرحلے کی ایپیٹیکسی۔

سیمیکمڈکٹر مینوفیکچرنگ میں کیمیائی بخارات جمع (سی وی ڈی) کا استعمال چیمبر میں پتلی فلمی مواد جمع کرنے کے لئے کیا جاتا ہے ، جس میں سی او 2 ، گناہ ، وغیرہ شامل ہیں ، اور عام طور پر استعمال ہونے والی اقسام میں پی ای سی وی ڈی اور ایل پی سی وی ڈی شامل ہیں۔ درجہ حرارت ، دباؤ اور رد عمل گیس کی قسم کو ایڈجسٹ کرکے ، سی وی ڈی مختلف عمل کی ضروریات کو پورا کرنے کے لئے اعلی طہارت ، یکسانیت اور فلم کی اچھی کوریج حاصل کرتی ہے۔

اس مضمون میں بنیادی طور پر سلیکن کاربائڈ سیرامکس کے وسیع اطلاق کے امکانات کی وضاحت کی گئی ہے۔ اس میں سلیکن کاربائڈ سیرامکس میں سائنٹرنگ دراڑوں کی وجوہات اور اس سے متعلقہ حلوں کے تجزیے پر بھی توجہ دی گئی ہے۔

سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں اینچنگ ٹیکنالوجی کو اکثر مسائل کا سامنا کرنا پڑتا ہے جیسے لوڈنگ اثر، مائیکرو گروو اثر اور چارجنگ اثر، جو مصنوعات کے معیار کو متاثر کرتے ہیں۔ بہتری کے حل میں پلازما کی کثافت کو بہتر بنانا، رد عمل کی گیس کی ساخت کو ایڈجسٹ کرنا، ویکیوم سسٹم کی کارکردگی کو بہتر بنانا، مناسب لیتھوگرافی لے آؤٹ ڈیزائن کرنا، اور مناسب اینچنگ ماسک مواد اور عمل کے حالات کا انتخاب شامل ہیں۔

اعلی کارکردگی والے ایس آئی سی سیرامکس کی تیاری کے لئے گرم ، شہوت انگیز دبانے والا sintering بنیادی طریقہ ہے۔ گرم دبانے والے sintering کے عمل میں شامل ہیں: اعلی طہارت SIC پاؤڈر کا انتخاب ، اعلی درجہ حرارت اور اعلی دباؤ کے تحت دبانے اور مولڈنگ ، اور پھر sintering۔ اس طریقہ کار کے ذریعہ تیار کردہ ایس آئی سی سیرامکس میں اعلی طہارت اور اعلی کثافت کے فوائد ہیں ، اور ویفر پروسیسنگ کے لئے پیسنے والی ڈسکس اور حرارت کے علاج کے سامان میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں۔

Silicon carbide (SiC) کے کلیدی ترقی کے طریقوں میں PVT، TSSG، اور HTCVD شامل ہیں، ہر ایک کے الگ الگ فوائد اور چیلنجز ہیں۔ کاربن پر مبنی تھرمل فیلڈ میٹریل جیسے موصلیت کے نظام، کروسیبلز، ٹی اے سی کوٹنگز، اور غیر محفوظ گریفائٹ استحکام، تھرمل چالکتا، اور پاکیزگی فراہم کرکے کرسٹل کی نمو کو بڑھاتے ہیں، جو SiC کی درست ساخت اور اطلاق کے لیے ضروری ہے۔

SiC میں اعلی سختی، تھرمل چالکتا، اور سنکنرن مزاحمت ہے، جو اسے سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے لیے مثالی بناتی ہے۔ CVD SiC کوٹنگ کیمیائی بخارات کے ذخیرہ کے ذریعے بنائی گئی ہے، جو اعلی تھرمل چالکتا، کیمیائی استحکام، اور epitaxial ترقی کے لیے ایک مماثل جالی مستقل فراہم کرتی ہے۔ اس کی کم تھرمل توسیع اور زیادہ سختی پائیداری اور درستگی کو یقینی بناتی ہے، جو اسے ویفر کیریئرز، پری ہیٹنگ رِنگز اور بہت کچھ میں ضروری بناتی ہے۔ VeTek سیمی کنڈکٹر متنوع صنعت کی ضروریات کے لیے اپنی مرضی کے مطابق SiC کوٹنگز میں مہارت رکھتا ہے۔

سلیکن کاربائڈ (ایس آئی سی) ایک اعلی صحت سے متعلق سیمیکمڈکٹر مواد ہے جو اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت ، سنکنرن مزاحمت ، اور اعلی مکینیکل طاقت جیسے عمدہ خصوصیات کے لئے جانا جاتا ہے۔ اس میں 200 سے زیادہ کرسٹل ڈھانچے ہیں ، 3C-SIC واحد کیوبک قسم ہے ، جو دوسری اقسام کے مقابلے میں اعلی قدرتی دائرہ کار اور کثافت کی پیش کش کرتا ہے۔ 3C-SIC اپنی اعلی الیکٹران کی نقل و حرکت کے لئے کھڑا ہے ، جس سے یہ بجلی کے الیکٹرانکس میں MOSFETS کے لئے مثالی ہے۔ مزید برآں ، یہ نانو الیکٹرانکس ، بلیو ایل ای ڈی ، اور سینسر میں بڑی صلاحیت کو ظاہر کرتا ہے۔

ڈائمنڈ، ایک ممکنہ چوتھی نسل کا "حتمی سیمی کنڈکٹر"، اپنی غیر معمولی سختی، تھرمل چالکتا، اور برقی خصوصیات کی وجہ سے سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس میں توجہ حاصل کر رہا ہے۔ اگرچہ اس کی اعلی قیمت اور پیداواری چیلنجز اس کے استعمال کو محدود کرتے ہیں، CVD ترجیحی طریقہ ہے۔ ڈوپنگ اور بڑے ایریا کرسٹل چیلنجوں کے باوجود، ہیرے نے وعدہ کیا ہے۔

ایس آئی سی اور گان وسیع بینڈ گیپ سیمیکمڈکٹر ہیں جن میں سلیکن سے زیادہ فوائد ہیں ، جیسے اعلی خرابی وولٹیجز ، تیز رفتار سوئچنگ کی رفتار اور اعلی کارکردگی۔ اعلی وولٹیج ، اعلی طاقت والے ایپلی کیشنز کے لئے اس کی اعلی تھرمل چالکتا کی وجہ سے ایس آئی سی بہتر ہے ، جبکہ GAN اعلی تعدد ایپلی کیشنز میں اس کی اعلی الیکٹران کی نقل و حرکت کی بدولت عبور رکھتا ہے۔

الیکٹران بیم بخارات مزاحمتی حرارت کے مقابلے میں ایک انتہائی موثر اور وسیع پیمانے پر استعمال شدہ کوٹنگ کا طریقہ ہے، جو بخارات کے مواد کو الیکٹران بیم سے گرم کرتا ہے، جس سے یہ بخارات بن کر ایک پتلی فلم میں گاڑھا ہو جاتا ہے۔