خبریں

ویکیوم کوٹنگ میں فلمی مواد بخارات ، ویکیوم ٹرانسپورٹ اور پتلی فلم کی نمو شامل ہے۔ مختلف فلمی مادی بخارات کے طریقوں اور نقل و حمل کے عمل کے مطابق ، ویکیوم کوٹنگ کو دو قسموں میں تقسیم کیا جاسکتا ہے: پی وی ڈی اور سی وی ڈی۔

یہ مضمون VeTek Semiconductor's Porous Graphite کے جسمانی پیرامیٹرز اور مصنوعات کی خصوصیات کے ساتھ ساتھ سیمی کنڈکٹر پروسیسنگ میں اس کی مخصوص ایپلی کیشنز کو بیان کرتا ہے۔

اس مضمون میں متعدد نقطہ نظر سے ٹینٹلم کاربائڈ کوٹنگ اور سلیکن کاربائڈ کوٹنگ کی مصنوعات کی خصوصیات اور اطلاق کے منظرناموں کا تجزیہ کیا گیا ہے۔

چپ مینوفیکچرنگ میں پتلی فلم جمع کرنا انتہائی ضروری ہے ، جس سے مائیکرو ڈیوائسز سی وی ڈی ، اے ایل ڈی ، یا پی وی ڈی کے ذریعے 1 مائکرون موٹی کے تحت فلمیں جمع کر کے ہیں۔ یہ عمل باری باری کنڈکٹو اور موصل فلموں کے ذریعے سیمیکمڈکٹر اجزاء تیار کرتے ہیں۔

سیمیکمڈکٹر مینوفیکچرنگ کے عمل میں آٹھ مراحل شامل ہیں: ویفر پروسیسنگ ، آکسیکرن ، لتھوگرافی ، اینچنگ ، ​​پتلی فلم جمع ، باہمی ربط ، جانچ اور پیکیجنگ۔ ریت سے سلیکن پر عملدرآمد کیا جاتا ہے ، آکسائڈائزڈ ، نمونہ دار ، اور اعلی صحت سے متعلق سرکٹس کے لئے کھڑا ہوتا ہے۔

اس مضمون میں بتایا گیا ہے کہ ایل ای ڈی سبسٹریٹ نیلم کا سب سے بڑا اطلاق ہے ، نیز نیلم کرسٹل تیار کرنے کے اہم طریقے ہیں: زیوکرالسکی کے طریقہ کار کے ذریعہ نیلم کرسٹل بڑھتے ہوئے ، کیروپلوس کے طریقہ کار کے ذریعہ نیلم کرسٹل بڑھتے ہوئے ، گائڈڈ ڈھال کے طریقہ کار سے بڑھتے ہوئے سیفائر کرسٹل ، اور بڑھتے ہوئے سیپ ہیٹ کے طریقہ کار سے۔

مضمون میں ایک ہی کرسٹل بھٹی میں درجہ حرارت کے میلان کی وضاحت کی گئی ہے۔ اس میں کرسٹل نمو ، ٹھوس مائع انٹرفیس ، اور استحکام میں درجہ حرارت کے میلان کے کردار کے دوران جامد اور متحرک گرمی کے کھیتوں کا احاطہ کیا گیا ہے۔

تائیکو پروسیس سلیکن نے اپنے اصولوں ، تکنیکی فوائد اور عمل کی ابتدا کا استعمال کرتے ہوئے سلیکن ویفر کیا۔

8 انچ sic epitaxial بھٹی اور homoepitaxial عمل کی تحقیق

مضمون میں سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹ ویفرز جیسے سلکان، GaAs، SiC اور GaN کی مادی خصوصیات کا تجزیہ کیا گیا ہے۔

اس مضمون میں بنیادی طور پر GAN پر مبنی کم درجہ حرارت کی ایپیٹیکسیئل ٹکنالوجی کی وضاحت کی گئی ہے ، جس میں GAN پر مبنی مواد کی کرسٹل ڈھانچہ ، 3۔ Epitaxial ٹکنالوجی کی ضروریات اور عمل درآمد کے حل ، PVD اصولوں پر مبنی کم درجہ حرارت ایپیٹیکسیل ٹکنالوجی کے فوائد ، اور کم درجہ حرارت ایپیٹیکل ٹیکنالوجی کے ترقیاتی امکانات۔

اس مضمون میں سب سے پہلے ٹی اے سی کی سالماتی ڈھانچے اور جسمانی خصوصیات کو متعارف کرایا گیا ہے ، اور اس میں سونٹرڈ ٹینٹلم کاربائڈ اور سی وی ڈی ٹینٹلم کاربائڈ کے اختلافات اور ایپلی کیشنز کے ساتھ ساتھ ویٹیک سیمیکمڈکٹر کی مقبول ٹی اے سی کوٹنگ مصنوعات پر بھی توجہ دی گئی ہے۔

اس مضمون میں سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ کی مصنوعات کی خصوصیات ، سی وی ڈی کے طریقہ کار کا استعمال کرتے ہوئے سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ تیار کرنے کا عمل ، اور تیار سی وی ڈی ٹی اے سی کوٹنگ کی سطح کی شکل کی کھوج کے لئے بنیادی طریقہ کار کا تعارف کیا گیا ہے۔

یہ مضمون TaC کوٹنگ کی مصنوعات کی خصوصیات، CVD ٹیکنالوجی کا استعمال کرتے ہوئے TaC کوٹنگ مصنوعات کی تیاری کا مخصوص عمل، Veteksemicon کی مقبول ترین TaC کوٹنگ کو متعارف کرایا ہے، اور Veteksemicon کو منتخب کرنے کی وجوہات کا مختصراً تجزیہ کرتا ہے۔

اس مضمون میں ان وجوہات کا تجزیہ کیا گیا ہے جن کی وجہ سے ایس آئی سی کوٹنگ ایس آئی سی ایپیٹاکسیل نمو کے لئے ایک اہم بنیادی مواد کوٹنگ کیا گیا ہے اور سیمیکمڈکٹر انڈسٹری میں ایس آئی سی کوٹنگ کے مخصوص فوائد پر توجہ دی گئی ہے۔

سلیکن کاربائڈ نانوومیٹریلیز (ایس آئی سی) نینو میٹر اسکیل (1-100nm) میں کم از کم ایک جہت والے مواد ہیں۔ یہ مواد صفر ، ایک ، دو ، یا تین جہتی ہوسکتا ہے اور اس میں متنوع درخواستیں ہوسکتی ہیں۔