ایلومینیم نائٹرائڈ (AlN) ویفرز

1. کلیدی خصوصیات اور فوائد

• الٹرا وائیڈ بینڈ گیپ ≈ 6.2 eV - مرکزی دھارے کے سیمی کنڈکٹر مواد میں سب سے زیادہ

• اعلی تھرمل چالکتا ≈ 320 W/m·K گرمی کی موثر کھپت کے لیے

• بہترین برقی موصلیت (>10¹³ Ω·cm) اور ہائی بریک ڈاؤن فیلڈ (12–15 MV/cm)

• GaN کے ساتھ اچھی جالی اور تھرمل توسیع کا مماثلت — GaN-on-AlN heterostructures کے لیے مثالی

• سخت HR-XRD راکنگ وکر کنٹرول کے ساتھ کم سندچیوتی کثافت کے اختیارات

• الف-فیس CMP (Ra ≤ 0.5 nm) اور N-face MP ایپی ریڈی سطحوں کے لیے

• ایک سے زیادہ سائز اور معیار کے درجات (P/R/D) پیداوار اور تحقیق کی ضروریات سے ملنے کے لیے

2. عام ایپلی کیشنز

• ریڈار اور 6G کمیونیکیشنز کے لیے ہائی پاور RF ڈیوائسز

• گرڈ، ڈیٹا سینٹرز، اور الیکٹرک گاڑیوں کے لیے ہائی وولٹیج پاور الیکٹرانکس

• ڈیپ الٹرا وائلٹ (UVC) ایل ای ڈی اور لیزر ڈائیوڈس

• GaN-on-AlN ایپیٹیکسیل گروتھ اور جدید ہیٹرسٹرکچر ڈیوائسز

• اعلی درجہ حرارت، اعلی تعدد، اور سخت ماحول والے سیمی کنڈکٹر اجزاء

3. دستیاب سائز اور معیار کے درجات

VeTek درج ذیل معیاری فارمیٹس میں AlN wafers پیش کرتا ہے۔ اپنی مرضی کے سائز اور وضاحتیں درخواست پر تبادلہ خیال کیا جا سکتا ہے.

• 10 × 10 ملی میٹر مربع سبسٹریٹس

• 1 انچ (25.4 ملی میٹر) ویفرز

• 2 انچ (50.8 ملی میٹر) ویفرز

معیار کے درجات: P-گریڈ (پروڈکٹ)، R-گریڈ (تحقیق)، D-گریڈ (تجرباتی)، بنیادی طور پر HR-XRD راکنگ وکر FWHM اور مجموعی طور پر کرسٹل کوالٹی کے ذریعے فرق کیا جاتا ہے۔

4. کلیدی تکنیکی تفصیلات

سائز میں عام پیرامیٹرز (عام اقدار؛ درجہ پر منحصر جہاں نوٹ کیا گیا ہے):

سائز کے ساتھ مخصوص ہندسی رواداری:

• 10×10 ملی میٹر: سائیڈ کی لمبائی 10 ملی میٹر ± 0.5 ملی میٹر؛ TTV ≤ 15 μm؛ رکوع ≤ 15 μm

• 1 انچ: قطر 25.4 ملی میٹر ± 0.5 ملی میٹر؛ قابل استعمال علاقہ ≥ 90٪؛ TTV ≤ 20 μm؛ رکوع ≤ 20 μm؛ پرائمری فلیٹ (10-10) ± 5°، لمبائی 8 ملی میٹر ± 1 ملی میٹر

• 2 انچ: قطر 50.8 ملی میٹر ± 0.5 ملی میٹر؛ قابل استعمال علاقہ ≥ 90%؛ TTV ≤ 30 μm؛ رکوع ≤ 30 μm؛ پرائمری فلیٹ کی لمبائی 16 ملی میٹر ± 2 ملی میٹر

5. کیوں VeTek AlN Wafers کا انتخاب کریں؟

جدید سیمی کنڈکٹر مواد اور اجزاء کے خصوصی سپلائر کے طور پر، VeTek سیمی کنڈکٹر فراہم کرتا ہے:

• کنٹرول شدہ کرسٹل کوالٹی اور ایپی ریڈی سطحوں کے ساتھ اعلیٰ معیار کے AlN سنگل کرسٹل ویفرز

• ڈیوائس پروڈکشن اور ریسرچ پروگرام دونوں کو سپورٹ کرنے کے لیے متعدد سائز اور گریڈ کے اختیارات

• VeTek سیمی کنڈکٹر میٹریل پورٹ فولیو کے تحت تکمیلی ویفر اور سبسٹریٹ حل

• مواد کے انتخاب اور عمل کے ملاپ کے لیے تکنیکی مدد

ہمارے AlN ویفرز صارفین کو ہائی پاور RF، ہائی وولٹیج پاور، اور ڈیپ-UV آپٹو الیکٹرانک آلات کی ترقی کو تیز کرنے میں مدد کرتے ہیں جو الٹرا وائیڈ بینڈ گیپ، ہائی تھرمل چالکتا، اور ایلومینیم نائٹرائڈ کی طرف سے پیش کردہ GaN مطابقت کے منفرد امتزاج کا مطالبہ کرتے ہیں۔